[发明专利]集成式人工神经元装置

权利要求书

1.一种集成式人工神经元装置，包括：

输入节点，所述输入节点被配置为接收至少一个输入信号；

输出节点，所述输出节点被配置为传送至少一个输出信号；

参考节点，所述参考节点被配置为接收参考电压；

积分器电路，所述积分器电路被配置为接收所述至少一个输入信号和对所述至少一个输入信号进行积分，并且传送积分信号；

发生器电路，所述发生器电路被配置为接收所述积分信号，并且当所述积分信号超过阈值时，传送所述输出信号，

其中，所述积分器电路包括耦合在所述输入节点与所述参考节点之间的主电容器，

其中，所述发生器电路包括主MOS晶体管，所述主MOS晶体管具有耦合到所述输入节点的第一电极、耦合到所述参考节点的第二电极以及耦合到所述输出节点的栅极，所述主MOS晶体管进一步使衬底与所述栅极相互耦合在一起。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述发生器电路包括耦合在所述主MOS晶体管的所述衬底与所述参考节点之间并且被配置为调整所述阈值的控制电路。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制电路包括控制电阻器。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制电路包括具有被配置为接收控制信号的控制电极的控制晶体管，所述控制信号修改所述控制晶体管的导通电阻，所述阈值的值取决于所述控制信号的值。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述主MOS晶体管具有1微米的栅极宽度和100纳米的栅极长度。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述主MOS晶体管具有小于200纳米的栅极宽度和小于28纳米的栅极长度。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述主电容器具有小于1平方微米的表面积。

8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

电源节点，所述电源节点被配置为接收电源电压；以及

不应电路，所述不应电路被配置为在由所述发生器电路对所述至少一个输出信号的传送之后，抑制所述积分器电路持续抑制持续时间。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述不应电路包括：

第一次级MOS晶体管，所述第一次级MOS晶体管具有耦合到所述输入节点的第一电极、耦合到所述参考节点的第二电极以及通过第二次级MOS晶体管连接到所述输出节点的栅极，所述第二次级MOS晶体管具有耦合到所述电源节点的第一电极、耦合到所述第一次级MOS晶体管的栅极的第二电极以及耦合到所述参考节点的栅极，

其中，所述不应电路进一步包括耦合在所述电源节点、所述参考节点与所述第二次级MOS晶体管的栅极之间的电阻-电容电路，所述抑制持续时间取决于所述电阻-电容电路的时间常数。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述电阻-电容电路包括次级电容器和次级电阻器，所述次级电容器具有耦合在所述电源节点与所述第一次级MOS晶体管的栅极之间的第一电极，并且所述次级电阻器耦合在所述第二次级MOS晶体管的栅极与所述参考节点之间。