[发明专利]阵列基板及其驱动方法、显示装置

说明书

一种阵列基板及其驱动方法、显示装置。阵列基板包括：衬底基板；设置在衬底基板上的像素电极；设置在衬底基板上的第一栅线以及第二栅线，第一栅线以及第二栅线分别设置在像素电极的两侧，并且，像素电极与第一栅线以及第二栅线分别部分交叠以形成第一存储电容和第二存储电容；以及栅极驱动器，与第一栅线以及第二栅线连接，被配置为依次向第一栅线以及第二栅线提供栅极信号并对栅极信号执行波形削角操作。该阵列基板中的像素电极与位于其两侧的栅线分别形成存储电容，从而使像素电极上的保持电压几乎等于充电电压，并且该阵列基板也不会影响像素的充电时间，以改善阵列基板的闪烁均一性。

技术领域

本公开至少一个实施例涉及一种阵列基板及其驱动方法、显示装置。

背景技术

一般的阵列基板中包括存储电容Cs on gate设计结构。Cs on gate结构的特点是通过像素电极覆盖到上一行像素的扫描线上形成存储电容，或者扫描线覆盖上一行像素电极上形成存储电容，该存储电容用于保证像素电压的稳定性。

发明内容

本公开的至少一实施例提供一种阵列基板及其驱动方法、显示装置。该阵列基板中的像素电极与位于其两侧的栅线分别形成存储电容，从而使像素电极上保持的电压几乎等于充电电压，并且该阵列基板也不会影响像素的充电时间，因而可以改善阵列基板的闪烁均一性以及显示画面的品质。

本公开的至少一实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；设置在衬底基板上的像素电极；设置在衬底基板上的第一栅线以及第二栅线，第一栅线以及第二栅线分别设置在像素电极的两侧，并且，像素电极与第一栅线以及第二栅线分别部分交叠以形成第一存储电容和第二存储电容；栅极驱动器，与第一栅线以及第二栅线连接，被配置为依次向第一栅线以及第二栅线提供栅极信号并对栅极信号执行波形削角操作；设置在衬底基板上的数据线；以及薄膜晶体管，包括与第一栅线连接的栅极、与像素电极连接的源极以及与数据线连接的漏极，栅极与源极之间形成寄生电容。

例如，第一存储电容与第二存储电容的电容值之和不小于寄生电容的电容值的10倍。

例如，第一存储电容和第二存储电容的电容值的至少之一为寄生电容的电容值的2-8倍。

例如，波形削角操作中使用的削角波形的削角斜率范围为0.8-1.6。

例如，削角波形的削角斜率为1。

例如，第一栅线包括与像素电极交叠的第一突出部，第一突出部与像素电极之间形成第一存储电容；第二栅线包括与像素电极交叠的第二突出部，第二突出部与像素电极之间形成第二存储电容。

例如，第一突出部与第二突出部的至少之一的材料为透明导电材料。

例如，第一突出部与像素电极的交叠面积为第一交叠面积，第二突出部与像素电极的交叠面积为第二交叠面积，第一交叠面积与第二交叠面积之差不大于两者之中较小者的面积的三倍。

本公开的至少一实施例提供一种上述阵列基板的驱动方法，包括：向第一栅线输入栅极信号，以对薄膜晶体管施加开启电压，数据线通过被开启的薄膜晶体管对像素电极进行充电，以使像素电极的电压逐渐增加到充电电压值；对第一栅线中的栅极信号执行波形削角操作，以使像素电极的电压被逐渐拉低；向第二栅线输入栅极信号，使像素电极的电压被拉高；对第二栅线中的栅极信号执行波形削角操作，以使像素电极的电压被逐渐拉低，并使像素电极的电压达到稳定时的电压值等于充电电压值。

例如，对第一栅线和第二栅线中的栅极信号执行波形削角操作包括：通过栅极驱动器控制第一栅线和第二栅线中的栅极信号逐渐减小以在第一栅线和第二栅线中的电压波形中形成削角波形，削角波形的削角斜率范围为0.8-1.6。

本公开的至少一实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的阵列基板。

附图说明