[发明专利]3D存储器的蚀刻方法

权利要求书

1.一种3D存储器的蚀刻方法，该方法包括：

提供一半导体衬底，在半导体衬底上沉积第一氧化硅/氮化硅堆叠层，在堆叠层顶部利用原位水汽生成工艺形成SiON层；

以SiON层形成硬掩膜，使得该硬掩膜具有对应顶部选择栅极层的沟槽的图案，利用该硬掩模先刻蚀形成顶部选择栅极层沟槽；

使得该硬掩膜具有对应于台阶结构的掩模图案，利用该硬掩模刻蚀形成台阶结构，最终台阶结构的顶层为部分未蚀刻的硬掩膜层图案；

对顶部选择栅极层的沟槽和台阶区域沉积第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填补刻蚀的顶部选择栅极层的沟槽内部，并覆盖台阶表面；

在整个器件之上形成层间介质层，随后采用化学机械抛光工艺进行表面平坦化直至暴露SiON层；

去除SiON层；

进行沟道通孔蚀刻，形成多个沟道通孔。

2.权利要求1所述的方法，其中衬底包括单晶材料、单晶SOI结构。

3.权利要求1所述的方法，其中，采用原子层沉积形成第二氧化硅层。

4.权利要求1所述的方法，其中，采用干蚀刻去除原位水汽生成工艺形成的SiON层。

5.一种3D存储器，其包括由上述权利要求中任一项方法制成的3D存储器。