[发明专利]成膜设备

说明书

本发明涉及显示器制备技术领域，公开了一种成膜设备，减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。本发明提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合第一腔室的开口的上盖，位于上盖和底座之间的第一密封圈，其中，上盖具有倾斜的斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且斜面在底座的底面所在平面上的正投影位于第一腔室在底座的底面所在平面上的正投影的外侧，斜面上靠近第一腔室的部分相对于斜面上远离第一腔室的部分远离底座的底面。

技术领域

本发明涉及显示器制备技术领域，特别涉及一种成膜设备。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即等离子增强化学气相沉积，基本原理是在保持一定压力的原料气体中，输入直流、高频或微波功率，产生气体放电，形成等离子体，从而大大增强反应气体的化学活性，达到沉积薄膜的目的，可在更低的温度下成膜。

如图1所示，现有的成膜设备，主要包括：具有第一腔室的上盖01和具有第二腔室的底座02，上盖01盖合底座02时，第一腔室和第二腔室便形成一反应腔。成膜设备，在进行一段时间薄膜沉积后，需要定时打开上盖进行清洁维护。而每次盖合时，需要上盖和底座反复对位才能保证上盖精确盖合底座，反复对位会使得上盖的边缘和底座的边缘发生摩擦产生磨损(如图2所示)，进而会产生碎屑，碎屑会对反应腔造成污染，降低成膜品质。

发明内容

本发明提供了一种成膜设备，用以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。

本发明提供的成膜设备，通过设置的第一密封圈，可以对上盖和底座起到密封连接的作用，对于外界的杂质或上盖和底座位于第一密封圈外周的部分发生磨损而产生的碎屑可以起到较好的阻隔作用，此外由于上盖上设有斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，斜面靠近第一腔室的一端相对斜面靠近所述密封圈的一端远离底座的底面，即使第一密封圈磨损或发生形变，上盖和底座位于第一密封圈内的部分也不容易发生磨损，产生碎屑。

故，本发明提供的成膜设备，可以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。

在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，所述成膜设备还包括：位于所述上盖和所述底座之间的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆盖所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影。

在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均为O型密封圈。

在一些可选的实施方式中，所述上盖的边缘上设有至少一块第一电磁铁；所述底座的边缘上设有与所述第一电磁铁一一对应的第二电磁铁，其中所述第一电磁铁和所述第二电磁铁通电后相互吸引用于将所述上盖和所述底座连接。通过上盖上设置的第一电磁铁和底座上设置的第二电磁铁可以方便上盖和底座对位连接，第一电磁铁和第二电磁铁通电后产生相互吸引力，会辅助上盖和底座对位，减少现有技术中，上盖和底座对位时重复摩擦产生磨损现象的发生，减少碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。