[发明专利]成膜设备

权利要求书

1.一种成膜设备，其特征在于，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面；

所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，所述成膜设备还包括：位于所述上盖和所述底座之间的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆盖所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影；

所述上盖的边缘上设有至少一块第一电磁铁；所述底座的边缘上设有与所述第一电磁铁一一对应的第二电磁铁，其中所述第一电磁铁和所述第二电磁铁通电后相互吸引用于将所述上盖和所述底座连接。

2.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈均为O型密封圈。

3.根据权利要求2所述的成膜设备，其特征在于，所述第二密封圈的横截面直径大于所述第一密封圈的横截面直径。

4.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述斜面与所述底座的底面所在平面的夹角大于等于1度且小于等于5度。

5.根据权利要求1～4任一项所述的成膜设备，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈均位于所述底座上。

6.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，还包括：

真空吸附装置；

所述底座上设有吸尘槽，所述吸尘槽位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间；

所述底座上还设有一端与所述吸尘槽的槽底连通、另一端与所述真空吸附装置连通的传输通道。

7.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，还包括：

为所述第一电磁铁提供电流的第一供电装置；

为所述第二电磁铁提供电流的第二供电装置。

8.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，所述第二电磁铁位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。