[发明专利]一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法

权利要求书

1.一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，包括：

在P型硅片正面进行碱制绒；

在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；

在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；

在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；

在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。

2.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化之后，还包括：

在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层。

3.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅为：

利用浓度为60％的HNO₃在100至120℃下沉积50至70min，得到厚度范围为3nm至7nm的二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜为：

以磷烷、硅烷为气源，在300℃条件反应100min至150min，得到厚度范围为15nm至25nm的掺杂多晶硅薄膜。

5.根据权利要求2所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，

所述在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层为：

在1000W至1300W的功率范围和180℃至220℃的温度范围内，在所述P型硅片的正面蒸镀ITO4至6分钟，得到厚度范围为70nm至100nm的ITO层。

6.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅薄膜为掺磷多晶硅薄膜。

7.根据权利要求1-6任一项所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述在P型硅片正面进行碱制绒为：

在P型硅片正面进行碱制绒形成金字塔绒面。