[发明专利]一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法。

背景技术

背面局域接触钝化结构的PERC和PERL电池在背面钝化上是比较完善的，但局部接触的结构特点限制了背面钝化效果，且正面复合的存在，使得当前结构的PERC电池提升空间受到限制。Fraunhofer开发的隧穿氧化层钝化接触技术使表面钝化得到更好的完善，既能降低表面复合，又避免了局部接触所需开孔流程，也就是钝化接触技术，当前的技术大多着重在背面钝化接触及n型钝化接触，当前PERC电池已有较完善的背面钝化结构，但正面复合仍然较大，限制了效率提升。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

本发明提供的一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，包括：

在P型硅片正面进行碱制绒；

在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；

在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；

在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；

在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。

优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化之后，还包括：

在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层。

优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅为：

利用浓度为60％的HNO₃在100至120℃下沉积50至70min，得到厚度范围为3nm至7nm的二氧化硅。

优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜为：

以磷烷、硅烷为气源，在300℃条件反应100min至150min，得到厚度范围为15nm至25nm的掺杂多晶硅薄膜。

优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层为：

在1000W至1300W的功率范围和180℃至220℃的温度范围内，在所述P型硅片的正面蒸镀ITO4至6分钟，得到厚度范围为70nm至100nm的ITO层。

优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述掺杂多晶硅薄膜为掺磷多晶硅薄膜。

优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在P型硅片正面进行碱制绒为：

在P型硅片正面进行碱制绒形成金字塔绒面。

通过上述描述可知，本发明提供的上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，由于包括在P型硅片正面进行碱制绒；在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；在所述P型硅片的背面开槽、刷电极和烧结，因此能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的示意图，该方法包括如下步骤：

S1：在P型硅片正面进行碱制绒；

其中，可以但不限于制作金字塔绒面。

S2：在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；

S3：在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；