[发明专利]包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造方法

说明书

公开了包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示(OLED)装置及其制造方法。OLED装置包括：具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；以及在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层。第二沟道层与功能层的上表面相接触。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年8月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0111712的优先权，通过引用的方式将其公开并入本文。

技术领域

本公开涉及一种包括多种类型薄膜晶体管的有机发光显示(OLED)装置以及制造这种OLED装置的方法。更具体地，本公开涉及一种其中将不同类型的薄膜晶体管布置在单个衬底上的OLED装置以及制造这种OLED装置的方法。

背景技术

随着信息技术时代的真正开始，以图形方式表示电信息信号的显示领域得到了迅速的发展。据此，已经开发了更薄、更轻、功耗更低的各种类型的显示装置，以取代现有的CRT(阴极射线管)。

这种显示装置的例子包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置和电润湿显示(EWD)装置。其中，OLED装置已经成为具有自发光特性的下一代显示装置，因为它在视角、对比度、响应时间、功耗等方面都优于LCD装置。

OLED装置包括其中布置了用于显示图像的有机发光元件和用于驱动有机发光元件的像素电路的显示区域，以及其中布置了驱动电路的邻近显示区域的非显示区域。特别是，在像素电路中布置了多个薄膜晶体管，并且在多个像素中的每个像素中提供了驱动有机发光元件的驱动电路。

薄膜晶体管可按有源层的材料进行分类。其中，低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管是最广泛使用的。近来，正在开发一种在同一衬底上同时形成LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的OLED装置。

发明内容

氧化物半导体薄膜晶体管被实现为n型MOSFET(以下称为NMOS)，并且通常具有BCE(背沟道蚀刻)结构。BCE晶体管可具有底栅结构，其缺点是，有源层可能会在用于形成源电极和漏电极的干蚀刻工艺中损坏。另一方面，根据共平面晶体管结构，源电极和漏电极通过布置在有源层上的绝缘层中的接触孔连接到有源层。此外，在共平面晶体管中，由于在形成源电极和漏电极时不会损坏有源层，所以共平面晶体管相比BCE型晶体管具有更好的可靠性。

为了解决BCE结构的可靠性问题，具有多种类型薄膜晶体管的OLED装置可采用共平面氧化物半导体薄膜晶体管。然而，在同一衬底上形成LTPS薄膜晶体管、然后形成氧化物半导体薄膜晶体管的制造工艺是非常复杂的。因此，本发明人认识到需要简化晶体管结构及其制造工艺步骤。

鉴于上述，本公开提供了一种能够解决上述问题的OLED装置。

具体来说，本公开提供了一种通过简化LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的叠置结构的方式，能够减少工艺掩模的数量、简化工艺步骤以及减少CVD沉积步骤的数量，从而节省制造成本的具有多种类型薄膜晶体管的OLED装置。研究本文所述的各种概念和细节的本发明人认识到了具体问题并进行了发明。

应该注意的是，本公开的方面不限于上文所述和下文所讨论的事项，本领域的技术人员将从下面的描述更好地理解本公开的其它方面。

根据本公开的一个方面，提供了一种OLED装置。该OLED装置包括：具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；以及在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层。第二沟道层与功能层的上表面相接触。