[发明专利]包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示(OLED)装置，包括：

具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；

具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；和

在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层，

其中第二沟道层与功能层的上表面相接触；并且

其中第一栅电极和第二栅电极由相同材料制成并且由同一层形成。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中与第二沟道层不与功能层的上表面接触的结构相比，功能层的氢含量较低。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中第一栅电极位于功能层上，并且

第二栅电极位于第二沟道层上。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，进一步包括：

在第二栅电极和第二沟道层之间的第一栅极绝缘层；和

在功能层和第一栅电极之间的第二栅极绝缘层，

其中第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层由相同材料制成并且由同一层形成。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中功能层连同第二栅极绝缘层一起充当低温多晶硅薄膜晶体管的栅极绝缘层，和

其中基于第二栅极绝缘层的厚度来确定功能层的厚度。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：

在功能层上的层间绝缘层，

其中层间绝缘层覆盖第一栅电极和第二栅电极。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中层间绝缘层具有双重绝缘功能，其使低温多晶硅薄膜晶体管的第一栅电极与第一源电极和第一漏电极绝缘，并且同时使氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极与第二源电极和第二漏电极绝缘。

8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中层间绝缘层包括：

在功能层上的第一层间绝缘层，和

在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中第一层间绝缘层的氢含量低于第二层间绝缘层的氢含量。

10.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极位于层间绝缘层上，和

其中第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极由相同材料制成并具有相同的厚度。

11.一种制造有机发光显示(OLED)装置的方法，该方法包括：

在衬底上形成低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管的第一有源层；

在第一有源层上形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层上形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二有源层；和

在第一栅极绝缘层和第二有源层上分别形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一栅电极和氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅电极，

其中第二有源层邻接于第一栅极绝缘层的上表面，并且

其中第一栅电极和第二栅电极由相同材料制成并且由同一层形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中第一栅极绝缘层在350℃或更低的温度下形成，以抑制第二有源层变得导电。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在形成第二有源层与形成第一栅电极和第二栅电极之间，同时形成氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极绝缘层和低温多晶硅薄膜晶体管的第三栅极绝缘层。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在第一栅极绝缘层上形成层间绝缘层，

其中层间绝缘层完全覆盖第一栅极、第二栅电极和第二有源层。