[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201710753668.7 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN107579086B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 渡部刚 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L23/488 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括:基板;设置在所述有机基板上的集成电路和芯片部件,其中,芯片部件与集成电路间隔开;模制成型部,包括中央部和周边部;以及设置在所述模制成型部的中央部上的固态图像拾取元件,所述固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向上的位置中比所述模制成型部的周边部的顶部边缘低。
本申请是申请日为2014年1月10日、申请号为201410012589.7、发明名称为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利申请的分案申请,其全部内容结合于此作为参考。
相关申请的交叉参考
本申请要求于2013年1月17日提交的日本在先专利申请JP2013-6533的权益,该专利申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。特别地,本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法,其能够通过减小外部尺寸,减小厚度,以及增加热辐射效率抑制固态图像拾取元件的温度升高而减小热噪声的影响。
背景技术
近年来,随着智能手机、平板电脑等已被小型化,半导体器件,内置于诸如智能手机、平板装置等中的半导体封装件和半导体模块的半导体器件已经日益被小型化。
对于该半导体器件,已经提出一种能够表面安装的方法,其中固态图像拾取元件通过树脂的使用粘结到倒装芯片安装在基板上的IC上,并且不需要额外的基板(参见美国专利申请公开号US005696031A)。
然而,在上述方法中,由于从IC产生的热被转移到固态图像拾取元件,该固态图像拾取装置的电气特性会降低。
因此,已经提出一种方法,其通过使用树脂将垫片(spacer)粘结到IC顶表面且将固态图像拾取元件粘结到该垫片,抑制从IC产生的热转移到该固态图像拾取元件(参见日本未审查专利申请公开号No.2004-006564)。
然而,在上述方法中,有必要事先制备片状热绝缘合成胶粘剂。除此之外,精确附接和硬化该胶粘剂的步骤是必要的。因此,会增加制造材料和制造步骤数。
因此,已经提出了一种将空腔设置在陶瓷基板或有机基板的两个表面上,并将固态图像拾取元件和IC均容纳在其中的方法(参见日本未审查专利申请公开号2012-009547(JP2012-009547A))。
发明内容
然而,在JP2012-009547A中公开的技术中,在安装固态图像拾取元件和IC时,有必要保证固态图像拾取元件和IC之间的层的强度。除此之外,由于固态图像拾取元件和IC的布线被集中,该层的厚度不太可能被减小,从而导致不能减小封装件的厚度。
此外,为了减小封装件的厚度,已经提出一种方法,该方法在空腔中设置台阶,在最低表面上安装IC,且随后在固态图像拾取元件上方的台阶中容纳固态图像拾取元件。然而,此类方法不太可能被实现,除非与该固态图像拾取元件的尺寸相比,IC的尺寸被显著减小,因此,不允许安装实际尺寸的IC。
特别是,期望通过减小外部尺寸和密封设置在有机基板上的IC和芯片部件的树脂厚度,以及增加热辐射效率抑制所布置的固态图像拾取元件的温度升高而实现抑制由于热噪声引起的图像质量降低。
根据本技术的实施方式提供了一种半导体器件,其包括:基板;设置在该基板上的集成电路和芯片部件,其中,所述芯片部件与所述集成电路间隔开;模制成型部,其包括中央部和周边部;以及设置在该模制成型部的中央部的固态图像拾取元件,该固态图像拾取元件的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。
该模制成型部的中央部可连接到该模制成型部的周边部,以允许从集成电路产生的热从该模制成型部的中央部转移到该模制成型部的周边部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的