[发明专利]液晶面板暗点化修补方法及阵列基板结构

权利要求书

1.一种液晶面板暗点化修补方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供液晶面板(LCD)；

所述液晶面板(LCD)包括阵列基板(A)及彩膜基板(C)；所述阵列基板(A)包括呈阵列式排布的多个像素电极(1)、对应每一行像素电极(1)设置的沿横向延伸的多条扫描线(2)、对应每一列像素电极(1)设置的沿纵向延伸的多条数据线(3)、对应每一行像素电极(1)设置的多条阵列基板侧公共电极线(4)、对应每一像素电极(1)设置的多个薄膜晶体管(T)、以及于每一数据线(3)上方遮盖相应数据线(3)且与像素电极(1)位于同一层的中间公共电极线(6)；所述彩膜基板(C)内设置有彩膜基板侧公共电极(8)；所述中间公共电极线(6)与彩膜基板侧公共电极(8)的电位相等；

设n、m均为正整数，第n行第m列薄膜晶体管(T)的栅极(G)连接第n条扫描线(2)，源极(S)连接第m条数据线(3)、漏极(D)连接第n行第m列像素电极(1)；

步骤S2、检测出液晶面板(LCD)的显示异常像素；

步骤S3、先在阵列基板上(A)对应于显示异常像素所在的区域切断相应的薄膜晶体管(T)的源极(S)与数据线(3)的连接，再通过成膜方式连接相应的像素电极(1)与中间公共电极线(6)；

所述扫描线(2)、阵列基板侧公共电极线(4)、及薄膜晶体管(T)的栅极(G)同位于第一金属层，所述数据线(3)、及薄膜晶体管(T)的源极(S)与漏极(D)同位于第二金属层；

所述像素电极(1)与中间公共电极线(6)的材料为ITO。

2.如权利要求1所述的液晶面板暗点化修补方法，其特征在于，所述步骤S3通过镭射切割工艺切断相应的薄膜晶体管(T)的源极(S)与数据线(3)的连接。

3.如权利要求1所述的液晶面板暗点化修补方法，其特征在于，所述步骤S3利用镭射修补工艺沉积成膜来连接相应的像素电极(1)与中间公共电极线(6)；且成膜用的材料与像素电极(1)及中间公共电极线(6)的材料相同。

4.如权利要求1所述的液晶面板暗点化修补方法，其特征在于，所述第一金属层与第二金属层的材料均为铜、铝、钼、钛中的一种或几种的层叠组合。

5.一种阵列基板结构，其特征在于，包括呈阵列式排布的多个像素电极(1)、对应每一行像素电极(1)设置的沿横向延伸的多条扫描线(2)、对应每一列像素电极(1)设置的沿纵向延伸的多条数据线(3)、对应每一行像素电极(1)设置的多条阵列基板侧公共电极线(4)、对应每一像素电极(1)设置的多个薄膜晶体管(T)、以及于每一数据线(3)上方遮盖相应数据线(3)且与像素电极(1)位于同一层的中间公共电极线(6)；

设n、m均为正整数，第n行第m列薄膜晶体管(T)的栅极(G)连接第n条扫描线(2)，源极(S)连接第m条数据线(3)、漏极(D)连接第n行第m列像素电极(1)；

所述扫描线(2)、阵列基板侧公共电极线(4)、及薄膜晶体管(T)的栅极(G)同位于第一金属层，所述数据线(3)、及薄膜晶体管(T)的源极(S)与漏极(D)同位于第二金属层；

所述像素电极(1)与中间公共电极线(6)的材料为ITO。

6.如权利要求5所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一金属层与第二金属层的材料均为铜、铝、钼、钛中的一种或几种的层叠组合。