[发明专利]接合基板的方法

权利要求书

1.一种制造组件的方法，所述方法包括以下步骤：

将粘结层施加至第一基板上；

将第二基板放置至所述粘结层上，从而将所述第一基板和所述第二基板固定在一起，所述粘结层界定沟道的至少一侧，所述沟道在所述第一基板和所述第二基板之间横向延伸至所述组件的外部；和

使所述第一基板和所述第二基板和所述粘结层经受接合工序，并且允许挥发物从所述粘结层释气以通过所述沟道从所述第一基板和所述第二基板之间逸出，其中由所述粘结层接合的所述第一基板和所述第二基板形成用于半导体真空处理腔室的部件，其中所述粘结层具有多个区段。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

由不同的粘结材料制造所述多个区段的至少两个区段。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述多个区段的第一区段由第一粘结材料形成，所述第一粘结材料具有不同于第二粘结材料的导热系数，所述第二粘结材料包括第二区段。

4.如权利要求2所述的方法，其中由所述多个区段组成的第一区段具有不同于第二区段的强度的粘结材料。

5.一种制造组件的方法，所述方法包括以下步骤：

将粘结层施加至第一基板上；

将第二基板放置至所述粘结层上，从而将所述第一基板和所述第二基板固定在一起，所述粘结层界定沟道的至少一侧，所述沟道在所述第一基板和所述第二基板之间横向延伸至所述组件的外部；和

使所述第一基板和所述第二基板和所述粘结层经受接合工序，并且允许挥发物从所述粘结层释气以通过所述沟道从所述第一基板和所述第二基板之间逸出，其中由所述粘结层接合的所述第一基板和所述第二基板形成用于半导体真空处理腔室的部件，其中所述粘结层具有大于0.3W/mK的导热率。

6.一种制造组件的方法，所述方法包括以下步骤：

将粘结层施加至第一基板上；

将第二基板放置至所述粘结层上，从而将所述第一基板和所述第二基板固定在一起，所述粘结层界定沟道的至少一侧，所述沟道在所述第一基板和所述第二基板之间横向延伸至所述组件的外部；和

使所述第一基板和所述第二基板和所述粘结层经受接合工序，并且允许挥发物从所述粘结层释气以通过所述沟道从所述第一基板和所述第二基板之间逸出，其中由所述粘结层接合的所述第一基板和所述第二基板形成用于半导体真空处理腔室的部件，其中所述第一基板为静电圆盘或气体分配板。

7.一种整修具有通过粘结层结合在一起的第一基板和第二基板的组件的方法，其中所述粘结层的至少一侧界定沟道，所述沟道在所述第一基板和所述第二基板之间横向延伸至所述组件的外部，所述方法包括以下步骤：

将接合削弱剂通过所述沟道引入至所述粘结层的内部区域；

分离所述第一基板和所述第二基板；

整修所述第一基板；

使用经整修的所述第一基板形成整修组件；和

采用密封环限定所述粘结层。

8.一种整修具有通过粘结层结合在一起的第一基板和第二基板的组件的方法，其中所述粘结层的至少一侧界定沟道，所述沟道在所述第一基板和所述第二基板之间横向延伸至所述组件的外部，所述方法包括以下步骤：

将接合削弱剂通过所述沟道引入至所述粘结层的内部区域；

分离所述第一基板和所述第二基板；

整修所述第一基板；和

使用经整修的所述第一基板形成整修组件，

其中所述粘结层具有大于0.3W/mK的导热率。