[发明专利]一种具有高电流上升率的栅控晶闸管有效
| 申请号： | 201710706916.2 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107516670B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;林育赐;谢驰;罗蕾;李佳驹;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L29/06 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 上升 晶闸管 | ||
1.一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，包括第一导电类型半导体掺杂衬底(2)，设置于在所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)背面的金属阳极(1)，设置在所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)正面的第二导电类型半导体掺杂外延层(3)，所述第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的顶层表面设置有金属阴极(7)和绝缘栅，其中绝缘栅位于中间，金属阴极(7)位于绝缘栅两边并与之相隔离；所述绝缘栅包括栅介质层(9)及设置于所述栅介质层(9)上表面的多晶硅栅(8)；所述第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区(4)，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(4)中设置有第二导电类型半导体掺杂阱区(5)，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)中设置有第一导电类型半导体重掺杂区(6)；所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)及部分第一导电类型半导体重掺杂区(6)与金属阴极(7)连接，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(4)、第二导电类型半导体掺杂阱区(5)和第一导电类型半导体重掺杂区(6)均与栅介质层(9)连接；其特征在于，第二导电类型半导体掺杂阱区(5)材料的禁带宽度大于第一导电类型半导体掺杂阱区(4)材料的禁带宽度，第一导电类型半导体掺杂阱区(4)材料的禁带宽度大于第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体为P型，第二导电类型半导体为N型。
3.根据权利要求1所述的一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体为N型，第二导电类型半导体为P型。
4.根据权利要求1所述的一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体或者所述第二导电类型半导体的材料为体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或者锗硅复合材料。
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