[发明专利]封装晶片的加工方法

说明书

提供封装晶片的加工方法，能够使模制树脂残留于封装器件的侧面。一种封装晶片的加工方法，包含如下的步骤：模制树脂去除步骤(ST3)，使封装晶片的填充有模制树脂的槽在外周剩余区域露出；保持步骤(ST5)，使槽露出而对封装晶片进行保持；朝向调整步骤(ST6)，使槽与形成分割槽时对卡盘工作台进行加工进给的加工进给方向平行；坐标登记步骤(ST7)，对在外周缘露出的多个槽的两个端部进行拍摄，根据拍摄图像对槽的两个端部或单侧端部的坐标信息进行登记；以及分割槽形成步骤(ST8)，根据所登记的槽的坐标信息，计算出应沿着槽形成的分割槽的位置，并沿着槽形成分割槽。

技术领域

本发明涉及封装晶片的加工方法。

背景技术

要想将半导体晶片分割成各个器件芯片，公知有利用切削刀具或激光光线照射的加工方法。通常各个分割而得到的器件芯片被固定于母板等，利用线等进行布线，利用模制树脂进行封装。但是，由于器件芯片的侧面的微细的裂纹等，当使器件长时间运转时，存在裂纹伸展、器件破损的可能，因此开发了如下的封装器件：利用模制树脂覆盖器件芯片的侧面，从而使外在环境因素不影响到器件(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2002-100709号公报

在制造专利文献1所示的封装器件时，需要在半导体晶片上沿着分割预定线形成供模制树脂填充的槽。在利用切削刀具形成槽的情况下，因切削刀具的弯曲、切削装置的轴的伸缩以及定位精度的影响，有时槽的间隔以μm单位发生变动。特别是当在半导体晶片的正面形成有低介电常数绝缘体被膜(Low-k膜)，在利用激光烧蚀将低介电常数绝缘体被膜去除之后，沿着去除该被膜而成的浅槽进行切削时，因激光烧蚀的热的影响，浅槽的附近变硬，容易使切削刀具产生弯曲。

在制造专利文献1所示的封装器件时，在对填充于封装晶片的槽的模制树脂进行进一步分割而分割成各个封装器件的加工中，当对远离槽的宽度方向中心的位置进行分割时，有时模制树脂不残留于封装器件的侧面。特别是当为了使能够由一张半导体晶片制造的封装器件的数量增多而使分割预定线的宽度变窄时，由于槽的间隔的变动，模制树脂不残留于封装器件的侧面的可能性提高。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供如下的封装晶片的加工方法：能够使模制树脂残留于封装器件的侧面。

根据本发明，提供封装晶片的加工方法，该封装晶片是利用模制树脂将晶片的器件区域的正面以及沿着分割预定线形成的槽覆盖而得的，该晶片在正面上具有在由交叉的多条所述分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的所述器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该封装晶片的加工方法具有如下的步骤：模制树脂去除步骤，沿着封装晶片的外周缘将该模制树脂去除，使填充有该模制树脂的槽在该外周剩余区域露出；保持步骤，使填充有该模制树脂的该槽露出而利用卡盘工作台的保持面对该封装晶片进行保持；朝向调整步骤，使保持着该封装晶片的该卡盘工作台旋转，使该槽的延伸方向与形成分割槽时对该卡盘工作台进行加工进给的加工进给方向平行；坐标登记步骤，在实施了该朝向调整步骤之后，对在外周缘露出的多个该槽的两个端部进行拍摄，根据拍摄图像对该卡盘工作台的保持面上的该槽的两个端部或单侧端部的坐标信息进行登记；以及分割槽形成步骤，根据所登记的该槽的坐标信息，计算出应沿着该槽形成的分割槽的位置，并沿着该槽形成该分割槽，即使相邻的该槽的间隔发生变动，也与该槽的位置对应地形成该分割槽。

优选在该坐标登记步骤中，对所有的该槽的两个端部的坐标信息进行登记。

优选在实施该坐标登记步骤时，沿着封装晶片的外周缘在周向上依次对该槽进行拍摄。

优选在该分割槽形成步骤中，通过激光光线或切削刀具将该模制树脂去除。

在本发明的封装晶片的加工方法中，对填充有模制树脂的槽的位置可靠地进行登记然后形成分割槽，因此在槽的中心形成分割槽。由此，起到能够使模制树脂残留于封装器件的侧面的效果。另外，沿着封装晶片的外周缘对槽进行检测，因此还具有能够高效地对坐标位置进行登记的效果。

附图说明