[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：纵横交错的多个扫描线和多个数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素区域、位于扫描线和数据线交叉处的薄膜晶体管、位于像素区域内的像素电极、以及位于像素电极和数据线之间的至少一个绝缘膜；所述薄膜晶体管包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、以及漏极；其特征在于：所述绝缘膜包括JAS层，所述JAS层设有漏极通孔，所述像素电极通过所述漏极通孔与漏极连接；所述JAS层在位于所述扫描线的上方且在所述漏极通孔的周围区域设有凹槽；所述凹槽位置的Jas层厚度比凹槽周边的Jas层厚度薄；Jas层为有机绝缘膜；当涂布PI液时，PI液流入漏极通孔位置附近。

2.根据权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于：所述绝缘层还包括至少一个PAS层，所述漏极通孔穿过所述PAS层。

3.根据权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于：所述PAS层为无机绝缘膜。

4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，多个扫描线形成在该基板上；

步骤2、在步骤1的基板上形成一栅绝缘层，并覆盖该多个扫描线；

步骤3、在步骤2的基板上覆盖一有机绝缘材料；

步骤4、提供一半色调光罩，将所述半色调光罩对应置于有机绝缘材料上方，所述光罩具有与预定形成漏极通孔位置的第一透光区、位于扫描线上方且位于预定形成漏极通孔位置的周围区域的第二透光区以及除第一、第二透光区以外区域的第三透光区；利用所述半色调光罩对所述有机绝缘材料进行曝光，在所述有机绝缘材料上对应第一、第二和第三透光区分别形成第一、第二和第三曝光区，其中，所述第一透光区的透光率高于第二透光区的透光率，第二曝光区的曝光程度高于第三曝光区的曝光程度；

步骤5、提供显影液，利用所述显影液对所述有机绝缘材料进行显影，所述有机绝缘材料上的第一曝光区形成一漏极通孔、所述有机绝缘材料上的第二曝光区形成一凹槽，所述有机绝缘材料上第三曝光区的高度高于所述第二曝光区的高度；

步骤6、对所述有机绝缘材料进行高温烘烤，使所述有机绝缘材料充分固化，形成JAS层；当涂布PI液时，PI液流入漏极通孔位置附近。

5.根据权利要求4所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层。

6.根据权利要求4所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤2和步骤3之间还包括步骤：位于栅极绝缘层上的半导体层、位于半导体层上的刻蚀阻挡层。

7.根据权利要求5或6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：还包括步骤：形成第二金属、以及覆盖第二金属的第一PASS层；第二金属形成数据线、与数据线连接的源极和漏极，所述Jas层位于第一PASS层上。

8.根据权利要求7所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于：还包括步骤：形成在JAS层上的公共电极；形成在公共电极上的第二PASS层；形成在第二PASS层上的像素电极。