[发明专利]一种数据读取的方法及闪存控制器

权利要求书

1.一种数据读取的方法，其特征在于，包括：

闪存控制器获取数据读取请求，所述数据读取请求包括待读取数据的地址；

所述闪存控制器根据所述待读取数据的地址，确定所述待读取数据所在的闪存块；

所述闪存控制器在所述待读取数据所在的闪存块所处的读取阶段为第一阶段时，根据所述闪存块当前导通电压的降低量，确定出所述闪存块的非读字线上降低后的导通电压，并设置待读字线的读取电压；其中，所述第一阶段为当前读操作所使用的参考电压小于等于低密度校验码LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量大于第一阈值的阶段；

所述闪存控制器根据所述闪存块上非读字线上降低后的导通电压和所述待读字线的读取电压，读取数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述闪存控制器读取数据之后，还包括：

所述闪存控制器在确定所述当前读操作所使用的参考电压大于LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量大于第一阈值时，将所述闪存块当前导通电压的降低量减1；或

所述闪存控制器在所述当前读操作所使用的参考电压大于LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量小于等于第一阈值时，将所述LDPC当前支持的参考电压的值加1，并将所述闪存块当前导通电压的降低量设置为第二阈值，所述第二阈值大于所述第一阈值。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：

所述闪存控制器在所述待读取数据所在的闪存块所处的读取阶段为第二阶段时，从所述闪存块的所有非读字线中确定出热非读字线和冷非读字线；所述第二阶段为当前读操作所使用的参考电压大于LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量小于等于第一阈值的阶段；

所述闪存控制器根据所述闪存块当前导通电压的降低量，确定出所述闪存块的热非读字线上降低后的导通电压，将初始导通电压作为冷非读字线上的导通电压，并设置待读字线的读取电压；

所述闪存控制器根据所述闪存块的热非读字线上降低后的导通电压、所述冷非读字线上的导通电压和所述待读字线的读取电压，读取数据。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述闪存控制器从所述闪存块的所有非读字线中确定出热非读字线和冷非读字线，包括：

所述闪存控制器将所述闪存块中读取次数大于第三阈值的非读字线确定为热非读字线，将所述闪存块中读取次数小于等于第三阈值的非读字线确定为冷非读字线。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述闪存控制器根据所述闪存块的热非读字线上降低后的导通电压、所述冷非读字线上的导通电压和所述待读字线的读取电压，读取数据之后，还包括：

所述闪存控制器在确定所述当前读操作所使用的参考电压大于LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量大于第一阈值时，将所述闪存块当前导通电压的降低量减1；或

所述闪存控制器在确定所述当前读操作所使用的参考电压大于LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量小于等于第一阈值时，确定所述LDPC当前支持的参考电压是否小于第四阈值；若是，则将所述LDPC当前支持的参考电压的值加1，并将所述闪存块当前导通电压的降低量设置为第二阈值；若否，则刷新所述闪存块；其中所述第二阈值大于所述第一阈值。

6.一种闪存控制器，其特征在于，包括：

输入输出I/O接口，用于获取数据读取请求，所述数据读取请求包括待读取数据的地址；

处理器，用于根据所述I/O接口获取的待读取数据的地址，确定所述待读取数据所在的闪存块；在所述待读取数据所在的闪存块所处的读取阶段为第一阶段时，根据所述闪存块当前导通电压的降低量，确定出所述闪存块的非读字线上降低后的导通电压，并设置待读字线的读取电压；其中，所述第一阶段为当前读操作所使用的参考电压小于等于低密度校验码LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量大于第一阈值的阶段；以及根据所述闪存块上非读字线上降低后的导通电压和所述待读字线的读取电压，读取数据；

所述I/O接口，还用于输出所述处理器读取的数据。