[发明专利]一种OLED器件及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710696908.4 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107507917B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 李锡平;孙文 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED器件及其制备方法、显示装置,属于OLED显示技术领域,其可解决现有的在较低灰阶下,OLED器件两端电压低于绿色像素的开启电压时容易出现发红现象的问题。本发明的OLED器件中部分子像素的发光材料层与第一电极之间的空穴注入层数少于其它子像素的发光层与第一电极之间的空穴注入层数,这样可以不仅能降低不同颜色的子像素的开启电压差,还能提高器件的发光效率。相当于有效调节器件多色光开启电压的差异性,从而避免低灰阶发红不良等现象。本发明的OLED器件适用于各种显示装置。
技术领域
本发明属于OLED显示技术领域,具体涉及一种OLED器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
通常情况下,在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件中,R、G、B发光像素具有相同的器件结构,不同颜色像素的发光材料层中激发发光材料发出R,G,B三色光所需能量大小顺序为νR<νG<νB。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:当R,G,B具有相同的结构时,各色的开启电压是不相同的,一般VR<VG<VB。这将导致OLED器件在较低灰阶点灯时,例如,器件两端电压差低于VG时,出现发红现象。随着OLED技术的不断发展,要求功耗的不断降低,即不断降低VSS电压的绝对值。这意味着发光阶段施加于OLED器件两端的压差在不断降低,在较低灰阶下,器件两端电压低于G像素的开启电压则更容易出现发红现象。
发明内容
本发明针对现有的在较低灰阶下,OLED器件两端电压低于绿色像素的开启电压时容易出现发红现象的问题,提供一种OLED器件及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是:
一种OLED器件,包括多个像素,每个像素包括多个不同颜色的子像素,每个子像素包括第一电极、第二电极,以及夹设在所述第一电极、第二电极之间的发光材料层,每个子像素的发光材料层与第一电极之间均设有空穴注入层,部分子像素的发光材料层与第一电极之间的空穴注入层数少于其它子像素的发光材料层与第一电极之间的空穴注入层数,以减小不同颜色的子像素的开启电压差。
优选的是,所述多个不同颜色的子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素,所述红色子像素的发光材料层与第一电极之间的空穴注入层数少于绿色子像素、蓝色子像素的发光材料层与第一电极之间的空穴注入层数。
优选的是,所述红色子像素包括由第一空穴注入层构成的单层空穴注入层,所述绿色子像素、蓝色子像素包括由第一空穴注入层、第二空穴注入层构成的双层空穴注入层。
优选的是,所述第二空穴注入层的厚度为5-15nm。
优选的是,所述红色子像素的第一空穴注入层的厚度为10-25nm;所述绿色子像素、蓝色子像素的第一空穴注入层的厚度为5-10nm。
优选的是,所述第一空穴注入层材料的HOMO能级在4.9~5.1V之间,第二空穴注入层材料HOMO能级在5.2~5.3V之间。
其中,HOMO能级是指:已占有电子的能级最高的轨道称为最高已占轨道,用HOMO表示。未占有电子的能级最低的轨道称为最低未占轨道,用LUMO表示。HOMO、LUMO统称为前线轨道,处在前线轨道上的电子称为前线电子。
优选的是,所述红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的开启电压相同。
本发明还提供一种OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
形成第一电极;
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