[发明专利]显示基板及显示装置在审
申请号: | 201710691080.3 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107342284A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 郑超;杨康鹏;许育民 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;其特征在于,还包括:
设置在所述非显示区的多个焊盘,各所述焊盘与显示芯片的引脚一一对应电连接;
静电防护电路,所述静电防护电路与至少一个焊盘电连接,用于导出该焊盘的静电;
其中,所述静电防护电路形成在用于绑定所述显示芯片的绑定区。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于:
所述静电防护电路包括至少一个静电防护单元;
所述静电防护单元包括输入信号端、第一输出信号端和第二输出信号端;
其中,所述输入信号端与至少一个焊盘电连接;
所述第一输出信号端与所述显示基板的第一电压信号端电连接,所述第二输出信号端与所述显示基板的第二电压信号端电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,各所述静电防护单元包括至少一个晶体管单元;
各所述晶体管单元包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管;
所述第一PMOS晶体管的栅极和源极与所述第一电压信号端电连接;
所述第一NMOS晶体管的栅极和源极与所述第二电压信号端电连接;
所述第一PMOS晶体管的漏极、所述第一NMOS晶体管的漏极与至少一个所述焊盘电连接;
所述第一电压信号端所提供的第一电压信号Vgh和所述第二电压信号端所提供的第二电压信号Vgl满足:
Vgh>Vgl。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于:
所述显示基板包括多条扫描线以及与所述多条扫描线绝缘相交的数据线;
其中,所述扫描线形成在第一金属层,所述数据线形成在第二金属层;
所述静电防护电路通过引线与焊盘电连接;
所述引线与所述扫描线同层设置;或者
所述引线与所述数据线同层设置。
5.一种显示装置,包括如权利要求1-4任意一项所述的显示基板其特征在于,还包括显示芯片;
所述显示芯片包括包括芯片本体和多个引脚;
所述引脚包括信号输入引脚和信号输出引脚;
所述焊盘包括第一焊盘,各所述第一焊盘与显示芯片的信号输入引脚一一对应电连接,所述信号输入引脚用于接收显示基板外部输入的电信号。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于:
多个信号输入引脚划分为至少一个信号输入组,各所述信号输入组包括至少一个信号输入引脚;
同一个信号输入组中的各信号输入引脚接收同一路所述显示基板外部输入的电信号。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述静电防护电路包括多个静电防护单元;
各所述静电防护单元包括至少一个晶体管单元;
各所述晶体管单元包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管;
所述第一PMOS晶体管的栅极和源极与第一电压信号端电连接;
所述第一NMOS晶体管的栅极和源极与第二电压信号端电连接;
所述第一PMOS晶体管的漏极、所述第一NMOS晶体管的漏极与至少一个所述第一输入焊盘电连接;
所述第一电压信号端所提供的第一电压信号Vgh和所述第二电压信号端所提供的第二电压信号Vgl满足:
Vgh>Vgl;
同一个信号输入组中的至少一个信号输入引脚与同一个所述静电防护单元电连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
各所述信号输入引脚所接收的所述显示基板外部输入的电信号的电压值Vin满足:
Vgl≤Vin≤Vgh。
9.根据权利要求7或8所述的显示装置,其特征在于,还包括柔性线路板;
所述柔性线路板上设置有多个绑定端子;
所述绑定端子用于将所述显示基板外部输入的电信号传输至各所述信号输入引脚。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
所述绑定端子还用于向所述显示基板传输所述第一电压信号和所述第二电压信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710691080.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的