[发明专利]成膜装置和其使用的气体排出部件

说明书

本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。

技术领域

本发明涉及成膜装置及其使用的气体排出部件.

背景技术

作为在半导体晶片等的基板上形成薄膜的方法，已知化学蒸镀法(ChemicalVapor Deposition；CVD)。作为通过CVD成膜的成膜装置，广泛周知在载置基板的载置台的上方，与基板相对地设置作为排出处理气体的气体排出部件的喷淋头(shower head)，从设置在喷淋头的气体排出面的多个气体排出孔排出处理气体。

在这样的成膜装置中，从对基板均匀地供给处理气体的观点出发，通常在喷淋头的气体排出面形成有多个气体排出孔的气体排出孔形成区域的大小与跟载置台上的基板对应的区域相等或达到其以上(例如参照专利文献1的0024段和图1、2)。

而且，在上述专利文献1中记载有，在使喷淋头中的气体排出面的气体排出孔形成区域的大小与跟载置台上的基板对应的区域相等或其以上的基础上，为了提高膜厚的面内均匀性，对气体排出孔的直径和气体排出孔的配置下功夫。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-48227号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，作为CVD的一种，已知利用等离子体使处理气体激发而帮助处理气体的解离的等离子体CVD，但是，在等离子体CVD的情况下，基板外周部的膜厚变薄，为了提高膜厚的面内均匀性，要求调整基板外周部的膜厚。

但是，在等离子体CVD中，即使对气体排出孔的直径和气体排出孔的配置下功夫，基板外周部的膜厚的调整也变得困难，获得所期望的膜厚面内均匀性至今都是困难的。

所以，本发明的课题在于提供在利用等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚，能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述课题，本发明提供一种成膜装置，包括：用于收纳被处理基板的处理容器；在上述处理容器内载置被处理基板的载置台；与载置在上述载置台的被处理基板相对配置，将处理气体向上述载置台上的被处理基板排出的气体排出部件；和在上述气体排出部件和上述载置台之间生成等离子体而激发上述处理气体的等离子体生成装置，上述成膜装置利用被等离子体激发的处理气体在被处理基板上形成规定的膜，上述成膜装置的特征在于，上述气体排出部件具有与上述载置台相对的气体排出面，在上述气体排出面形成有多个气体排出孔，上述气体排出面中的形成有上述多个气体排出孔的气体排出孔形成区域比上述气体排出面的与被处理基板对应的区域小。

另外，本发明提供一种气体排出部件，其在处理容器内与载置在载置台上的被处理基板相对配置，将处理气体向上述载置台上的被处理基板排出，在气体排出部件与上述载置台之间生成有等离子体的状态下，利用上述处理气体在被处理基板上形成规定的膜，所述气体排出部件的特征在于：具有与上述载置台相对的气体排出面，在上述气体排出面形成有多个气体排出孔，上述气体排出面中的形成有上述多个气体排出孔的气体排出孔形成区域比上述气体排出面的与被处理基板对应的区域小。