[发明专利]成膜装置和其使用的气体排出部件

权利要求书

1.一种成膜装置，其包括：

用于收纳被处理基板的处理容器；

在所述处理容器内载置被处理基板的载置台；

与载置在所述载置台上的被处理基板相对配置的用于将处理气体向所述载置台上的被处理基板排出的气体排出部件；和

在所述气体排出部件和所述载置台之间生成等离子体而激发所述处理气体的等离子体生成装置，

所述成膜装置利用被等离子体激发的处理气体在被处理基板上形成规定的膜，所述成膜装置的特征在于，

所述气体排出部件具有与所述载置台相对的气体排出面，在所述气体排出面形成有多个气体排出孔，

所述气体排出面中的形成有所述多个气体排出孔的气体排出孔形成区域比所述气体排出面的与被处理基板对应的区域小，

所述气体排出面中的所述气体排出孔形成区域和与所述被处理基板对应的区域呈同心状，所述气体排出孔形成区域的直径比与所述被处理基板对应的区域的直径小，

所述气体排出孔形成区域的直径相对于与所述被处理基板对应的区域的直径的比例是66.6～93.4％，

对所述气体排出部件施加高频电力。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述气体排出孔形成区域的直径相对于与所述被处理基板对应的区域的直径的比例是73.3～86.7％。

3.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：

从所述气体排出部件排出的处理气体是作为原料气体的TiCl₄气体、作为还原气体的H₂气体、和作为等离子体生成气体的Ar气体，在被处理基板上形成含Ti的金属膜。

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述TiCl₄气体被所述等离子体激发，作为活性种主要生成TiCl₃。

5.如权利要求4所述的成膜装置，其特征在于：

还包括对所述载置台上的被处理基板进行加热的加热机构，在成膜时通过所述加热机构将被处理基板加热到350～500℃的温度。

6.如权利要求4所述的成膜装置，其特征在于：

在成膜时从所述气体排出部件排出的气体流量为：

TiCl₄气体：1～200mL/min(sccm)；

H₂气体：1～10000mL/min(sccm)；

Ar气体流量：100～10000mL/min(sccm)。

7.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

还包括设置在与所述载置台连接的传送路径中的阻抗调整电路，通过该阻抗调整电路，使从等离子体看的所述传送路径的阻抗降低而使从等离子体流到基板的电流增加，使Ar离子高能量化。

8.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：

所述等离子体生成装置以所述载置台为下部电极，以气体排出部件为上部电极，在所述上部电极和所述下部电极之间形成高频电场，从而生成等离子体。

9.一种气体排出部件，其在处理容器内与载置在载置台上的被处理基板相对配置，将处理气体向所述载置台上的被处理基板排出，在所述气体排出部件与所述载置台之间生成有等离子体的状态下，利用所述处理气体在被处理基板上形成规定的膜，所述气体排出部件的特征在于：

所述气体排出部件具有与所述载置台相对的气体排出面，在所述气体排出面形成有多个气体排出孔，

所述气体排出面中的形成有所述多个气体排出孔的气体排出孔形成区域比所述气体排出面的与被处理基板对应的区域小，

所述气体排出面中的所述气体排出孔形成区域和与所述被处理基板对应的区域呈同心状，所述气体排出孔形成区域的直径比与所述被处理基板对应的区域的直径小，

所述气体排出孔形成区域的直径相对于与所述被处理基板对应的区域的直径的比例是66.6～93.4％，

对所述气体排出部件施加高频电力。

10.如权利要求9所述的气体排出部件，其特征在于：

所述气体排出孔形成区域的直径相对于与所述被处理基板对应的区域的直径的比例是73.3～86.7％。