[发明专利]一种基板冷却装置及冷却方法有效
申请号: | 201710661990.7 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN107706128B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 杨元隆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冷却 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及基板制作技术领域,尤其涉及一种基板冷却装置及冷却方法。
背景技术
由于TFT(Thin Film Transistor,即薄膜晶体管)制程过程中会反复地对玻璃基板产品进行-加热-冷却-加热-冷却……的循环反应,使得玻璃不断进行膨涨-收缩-膨涨-收缩……的循环变化,造成玻璃呈不规则变形,尤其是基板面积越大,玻璃基板四周的收缩量大于玻璃基板四角的情况也越来越明显。
而目前的降温设备中,为了保证玻璃基板各个部位的冷却速度一致,通常采用整面的降温板对其上方的玻璃基板进行降温,然而,由于玻璃基板各个角暴露在空气中的面积较多,其降温速率本身就大于其四个边的降温速率,现有的此种设备仍然无法改善玻璃基板的收缩量不均的现象。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种基板冷却装置及冷却方法,可以很好地改善玻璃基板的收缩量不均的现象,避免玻璃基板各区域收缩量不一致引起的不规则变形。
为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种基板冷却装置,包括冷却水供应装置、连接所述冷却水供应装置且用于对上方的基板进行冷却的冷却水管和分别连接所述冷却水管的多个进水口和多个出水口,所述进水口连接所述冷却水供应装置;所述冷却水管呈矩形分布,且所述冷却水管的矩形分布区域被划分为多个子区域,每个所述子区域的所述冷却水管两端均只连接有一个所述进水口和一个所述出水口;所述进水口设于所述矩形分布区域的中部,所述出水口设于所述矩形分布区域的角部,且每个所述子区域的所述冷却水管首先自相应的所述进水口延伸至靠近所述矩形分布区域的中心后,呈蛇形迂回地引出至角部的所述出水口。
作为其中一种实施方式,所述矩形分布区域被划分为关于其对称轴对称设置的多个所述子区域。
作为其中一种实施方式,每个所述子区域的面积相同。
作为其中一种实施方式,所述子区域为4个,分别呈矩形布置。
作为其中一种实施方式,所述子区域的所述冷却水管包括多段与其所属的所述子区域的对角线平行的第一段。
作为其中一种实施方式,所述子区域的所述冷却水管还包括多段与其所属的所述子区域的边界平行的第二段,所述第一段与所述第二段相邻且依次连接。
或者,所述子区域为8个,分别呈三角形布置。
作为其中一种实施方式,所述的基板冷却装置还包括定型块,所述定型块覆盖并接触所述冷却水管的上表面。
作为其中一种实施方式,所述的基板冷却装置还包括设于所述定型块下方的多组吸附通道,位于所述矩形分布区域的角部的第一吸附通道共用第一真空吸附装置,位于矩形分布区域的其他区域的第二吸附通道各自连通一个第二真空吸附装置。
本发明的另一目的在于提供一种基板冷却方法,使用一种所述的基板冷却装置,包括:分别同时朝不同的所述子区域的所述进水口注入冷却水,使冷却水依次自所述矩形分布区域的中心呈蛇形迂回地流向角部的所述出水口。
本发明通过对冷却水管的进水口、出水口以及走线进行设计,使得基板冷却装置可以克服玻璃基板的各个角处降温速率大于其四个边的降温速率的现象,保证玻璃基板的所有区域的冷却速度一致,避免玻璃基板各区域收缩量不一致引起的不规则变形。
附图说明
图1为本发明实施例1的基板冷却装置的结构示意图;
图2为本发明实施例1的基板冷却装置的冷却水管的布线方式示意图;
图3为本发明实施例1的基板冷却装置的冷却水管的吸附通道的布置方式示意图;
图4为本发明实施例1的基板冷却方法示意图;
图5为本发明实施例2的基板冷却装置的冷却水管的布线方式示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造