[发明专利]非易失性存储装置及其数据去重复方法有效
申请号: | 201710654881.2 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107402725B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 谢廷俊;戴颖煜;朱江力 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 及其 数据 重复 方法 | ||
1.一种非易失性存储装置,包括:
一非易失性存储器;以及
一控制器,耦接至该非易失性存储器,用以进行一错误校验纠正方法而将一原数据转换为一经编码数据,以及用以进行一数据去重复方法来减少相同的该经编码数据被重复写入该非易失性存储器的次数,其中该数据去重复方法包括:复用该错误校验纠正方法的计算操作和计算结果中的至少一个,来产生对应于该原数据的一特征信息;使用该特征信息来查找一特征列表;当在该特征列表中找得到该特征信息时,不将该原数据所对应的该经编码数据写入该非易失性存储器;以及当在该特征列表中找不到该特征信息时,将该原数据所对应的该特征信息加入该特征列表以及将该原数据所对应的该经编码数据写入该非易失性存储器。
2.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中该控制器包括:
一存储器缓冲器,用以暂存该原数据;
一错误校验纠正电路,耦接至该存储器缓冲器以接收该原数据,用以对该原数据进行该错误校验纠正方法而获得该经编码数据与该特征信息;
一去重复电路,接收该错误校验纠正电路所产生的该特征信息,其中该去重复电路使用该特征信息来查找该特征列表以获得一查找结果;以及
一中央处理单元,耦接至该去重复电路以接收该查找结果,其中当在该特征列表中找得到该特征信息时,该中央处理单元不将该经编码数据写入该非易失性存储器,以及当在该特征列表中找不到该特征信息时,该中央处理单元将该经编码数据写入该非易失性存储器以及控制该去重复电路去将该特征信息加入该特征列表。
3.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述产生对应于该原数据的该特征信息的步骤包括:
使用对应于该原数据的该经编码数据的部分或全部奇偶校验位作为该特征信息。
4.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述产生对应于该原数据的该特征信息的步骤包括:
使用对应于该原数据的该经编码数据的部分或全部奇偶校验位进行一逻辑运算来产生该特征信息。
5.如权利要求4所述的非易失性存储装置,其中该逻辑运算包括异或运算。
6.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述产生对应于该原数据的该特征信息的步骤包括:
对该原数据进行该错误校验纠正方法的一校验子运算,以产生该原数据的至少一校验子;以及
使用该至少一校验子的部分或全部位作为该特征信息。
7.如权利要求6所述的非易失性存储装置,其中该校验子运算包括一低密度奇偶校验的校验子运算。
8.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述产生对应于该原数据的该特征信息的步骤包括:
对该原数据进行该错误校验纠正方法的一校验子运算,以产生该原数据的至少一校验子;以及
使用该至少一校验子的部分或全部位进行一逻辑运算来产生该特征信息。
9.如权利要求8所述的非易失性存储装置,其中该逻辑运算包括异或运算。
10.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述查找该特征列表的步骤包括:
当在该特征列表中找得到该特征信息时,将该特征列表中该特征信息移动至该特征列表的一第一端位置;以及
当在该特征列表中找不到该特征信息时,将该特征信息加入该特征列表的该第一端位置。
11.如权利要求10所述的非易失性存储装置,其中所述查找该特征列表的步骤还包括:
当将该特征信息加入该特征列表的该第一端位置时,舍弃该特征列表的一第二端位置的内容。
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