[发明专利]一种机身复合膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201710647712.6 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107604323B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;张恒军 | 申请（专利权）人： | 赣州市德普特科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/10 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 石伍军;张鹏 |
| 地址： | 341400 江西省赣州*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 机身 复合膜 后盖 玻璃基片 制备 附着力 电子束蒸发镀膜 复合膜表面 视频播放器 电视机身 手机后盖 智能手表 膜层 应用 交错 复合 | ||
1.一种机身复合膜，其特征在于，自下至上依次包括玻璃基片以及在玻璃基片上依次采用电子束蒸发镀膜方法交错复合的第一Cr层、TiO2层、第二Cr层和SiO2层；第一Cr层的厚度为24-72nm、TiO2层的厚度为200-1500nm、第二Cr层的厚度为500-700nm、SiO2层的厚度为300-550nm。
2.如权利要求1所述的机身复合膜，其特征在于，第一Cr层的生长速率为2-4Å/s；TiO2层的生长速率为5-10Å/s；第二Cr层的生长速率为5-7Å/s；SiO2层的生长速率为5-7Å/s。
3.如权利要求2所述的机身复合膜，其特征在于，第一Cr层的厚度为50nm、TiO2层的厚度为350-1000nm、第二Cr层的厚度为600nm、SiO2层的厚度为500nm。
4.如权利要求1所述的机身复合膜，其特征在于，SiO2层的厚度为300-550nm，其生长速率为5-7Å/s。
5.如权利要求1-4任一项所述的机身复合膜的制备方法，其特征在于，包括：
1）基片前处理步骤：取玻璃基片，清洗，高纯氮气吹干；
2）预熔处理步骤：对Cr膜料、TiO2膜料和SiO2膜料进行预熔处理；
3）沉积第一Cr层步骤：取步骤2）处理后的Cr膜料，在步骤 1）处理后的玻璃基片表面采用电子束蒸发镀膜方法镀膜沉积第一Cr层，镀膜参数为：真空度为3.0×10-5Torr，Cr膜料加热电流为550A，生长速率为2-4 Å/s；
4）沉积TiO2层的步骤：取步骤2）处理后的TiO2膜料，在步骤3）得到的第一Cr层表面采用电子束蒸发镀膜方法镀膜沉积TiO2层，镀膜参数为：真空度为3.0×10-5Torr，TiO2膜料加热电流为550A，生长速率为5-10 Å/s；
5）沉积第二Cr层步骤：取步骤2）处理后的Cr膜料，在步骤4）得到的TiO2层表面采用电子束蒸发镀膜方法镀膜沉积第二Cr层，镀膜参数为：真空度为3.0×10-5Torr，Cr膜料加热电流为550A，生长速率为5-7 Å/s；
6）沉积SiO2层的步骤：取SiO2膜料，在步骤5）得到的第二Cr层表面采用电子束蒸发镀膜方法镀膜沉积SiO2层，镀膜参数为：真空度为3.0×10-5Torr，SiO2膜料加热电流为550A，生长速率为5-7 Å/s。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中，依次采用丙酮、无水乙醇和去离子水超声玻璃基片。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤 2）中，预熔电流为160A，预熔时间为3min。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤 4）中，更换成TiO2膜料时，向反应腔充入氧气置换真空。
9.如权利要求1-4任一项所述的机身复合膜的在电子产品机身上的应用。
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