[发明专利]用于芯片顶层防护层的多路随机哈密顿回路生成方法

权利要求书

1.一种用于芯片顶层防护层的多路随机哈密顿回路生成方法，其特征是，步骤如下：

1)依据所需生成的总体区域大小，生成点阵图，并以相邻四个格点为一个最小单位，生成一定数目的正方形矩阵，作为单元回路矩阵，依据所需生成的随机哈密顿回路个数，将边界处的正方形划分为多个区域，中间剩余正方形统一为中心区域；

2)在所有回路中随机选择两个回路，若两回路分别属于不同的边界区域，则重新选择，直到两回路属于相同的边界区域，或者一条属于边界区域，一条属于中心区域，亦或者两条都属于中心区域；

3)判断选出的两条单元回路是否具有相邻边。若不存在相邻边，则执行步骤2；若存在相邻边，则将相邻边去除，合并为一条单元回路；若选择的两个回路都属于边界区域，则合并后的单元回路仍属于这个边界区域；若选择的两条回路都为中心区域，则合并后的单元回路仍属于中心区域；若选择的两条回路一条属于边界区域，一条属于中心区域，则合并后的单元回路属于边界区域，原属于中心区域的回路将因合并操作而消失；

4)判断中心区域是否还存在未被合并的单元回路，若存在，则执行步骤2；若不存在，则执行步骤5；

5)在所有回路中随机选择两个回路，若两回路分别属于不同的边界区域，则重新选择，直到两回路属于相同的边界区域；

6)判断选出的两条回路是否具有相邻边，若不存在相邻边，则执行步骤2，若存在相邻边，则将相邻边去除，合并为一条单元回路；

7)重复步骤5与步骤6，直到剩余所需数目的随机哈密顿回路为止。

2.如权利要求1所述的用于芯片顶层防护层的多路随机哈密顿回路生成方法，其特征是，一个实例中，生成双随机哈密顿回路，故将边界处正方形划分为A、B两个区域，中间剩余正方形划分为区域C。