[发明专利]基板处理系统有效
申请号: | 201710633490.2 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107665841B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 李廷焕;吴来泽 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05F3/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 赵丹;赵莎 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
公开了一种基板处理系统。所述基板处理系统包括具有端口和索引机械手的索引单元,容纳基板的容器位于所述端口上;工艺执行单元,所述工艺执行单元具有用于处理基板的基板处理装置和用于转移基板的主传送机械手;和缓冲单元,所述缓冲单元布置在工艺执行单元和索引单元之间,并且在工艺执行单元和索引单元之间传送的基板暂时停留在所述缓冲单元中。索引机械手、基板处理装置、主传送机械手和缓冲单元中的每一个都包括与基板相接触以去除基板静电的导电部。
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理系统。
背景技术
基板表面上的污染物,诸如颗粒、有机污染物和金属污染物,极大地影响了器件的品质和产率。因此,去除附着在基板表面的各种污染物或多余膜的清洗工艺是非常重要的,所以在制造半导体的单元工艺之前和之后进行清洗基板的工艺。
在当前半导体制造工艺中使用的清洗方法主要分为干洗和湿洗,而湿洗分为批量型和单晶片型,批量型通过将基板浸入在化学品中通过化学溶液去除污染物,单晶片型在基板被放置在旋转卡盘上之后被旋转时,通过将化学品供应到基板的表面上来去除污染物。
当基板高速旋转时,单晶片型清洗装置将处理液、去离子水和干燥气体供应到基板上,并且处理液、去离子水和干燥气体由于与基板表面的摩擦而产生静电。
为了解决由于静电所导致的静电电荷和电场的不均匀,离子发生器位于在其中执行各种工艺的工艺腔室的内部。然而,传统的离子发生器实际上并不能通过去除在其中执行工艺的广泛区域中的静电或带电粒子而有效地去除基板上的静电。
此外,在去除静电的另一种方法中,通过在基板接触点使用导电材料来去除在工艺期间产生的静电和留存的静电。然而,虽然工艺中产生的大量静电通过导电材料释放到外部,但一旦特定量的静电被释放,就不会再进一步释放静电。
[现有技术文献]
[专利文献]
韩国专利申请公开号10-2012-0008854(2012年2月1日)。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种基板处理装置,该基板处理装置可分阶段地去除基板上的静电。
本发明构思的实施例还提供了一种基板处理装置,该基板处理装置可提高基板上静电的去除效果。
本发明构思的目的并不限于以上所述目的。本发明构思所属领域的技术人员将从下面的描述中清楚地了解未提及的其它技术目的。
根据本发明构思的一个方面,提供了一种基板处理系统,该基板处理系统包括:索引单元,所述索引单元具有端口和索引机械手,容纳基板的容器位于所述端口上;工艺执行单元,所述工艺执行单元具有用于处理所述基板的基板处理装置和用于转移所述基板的主传送机械手;和缓冲单元,所述缓冲单元布置在所述工艺执行单元和所述索引单元之间,并且在所述工艺执行单元和所述索引单元之间传送的基板暂时停留在所述缓冲单元中,其中所述索引机械手、所述基板处理装置、所述主传送机械手和所述缓冲单元中的每一个都包括与所述基板相接触以去除所述基板静电的导电部。
所述索引机械手的导电部、所述基板处理装置的导电部、所述主传送机械手的导电部和所述缓冲单元的导电部可由具有不同表面电阻的导电材料形成。
所述基板处理装置、所述主传送机械手、所述缓冲单元和所述索引机械手的导电部的表面电阻可依次降低,使得所述基板处理装置、所述主传送机械手、所述缓冲单元和所述索引机械手的静电去除能力依次增加。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造