[发明专利]一种用于发光二极管封装的绝缘材料及其制备方法在审
申请号: | 201710620234.X | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN107266864A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 李丹丹 | 申请(专利权)人: | 合肥同佑电子科技有限公司 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L83/07;C08L77/00;C08L27/18;C08K13/04;C08K7/06;C08K3/22;C08K3/36;C08K3/34;H01B3/40;H01B3/46;H01B3/30;H01B3/44 |
代理公司: | 合肥道正企智知识产权代理有限公司34130 | 代理人: | 闫艳艳 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经济技术开发区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 发光二极管 封装 绝缘材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,包括如下重量份的原料:环氧树脂30~50份、乙烯基硅橡胶15~25份、聚酰胺10~15份、纳米二氧化硅3~6份、沉淀法白炭黑4~5份、聚四氟乙烯10~15份、纳米级水合氧化铝颗粒12~17份、三乙基己基磷酸4~7份、碳化硅6~10份、碳纤维4~7份、三氧化二锑3~7份、固化剂5~10份、抗氧剂2~3份、硅烷偶联剂3~6份、增粘剂7~15份。
2.根据权利要求1所述的用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,包括如下重量份的原料:环氧树脂32~47份、乙烯基硅橡胶18~24份、聚酰胺11~13份、纳米二氧化硅3.6~4.2份、沉淀法白炭黑4.2~4.8份、聚四氟乙烯11~14份、纳米级水合氧化铝颗粒14~16份、三乙基己基磷酸5~6份、碳化硅7~9份、碳纤维5~6份、三氧化二锑4~6份、固化剂7~9份、抗氧剂2.1~2.7份、硅烷偶联剂4~5份、增粘剂9~11份。
3.根据权利要求1所述的用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,包括如下重量份的原料:环氧树脂39份、乙烯基硅橡胶21份、聚酰胺12份、纳米二氧化硅4份、沉淀法白炭黑4.5份、聚四氟乙烯13份、纳米级水合氧化铝颗粒15份、三乙基己基磷酸5.7份、碳化硅8份、碳纤维5.2份、三氧化二锑5份、固化剂8份、抗氧剂2.3份、硅烷偶联剂4.9份、增粘剂10份。
4.根据权利要求1所述的用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,所述纳米级水合氧化铝颗粒的直径为100~500nm。
5.根据权利要求1所述的用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,所述增粘剂为烷基萘醛树脂、聚硼硅氧烷、二苯基硅二醇的混合物。
6.根据权利要求1所述的用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,所述碳纤维的长度为40~60mm,强度1500MPa,模量125GPa。
7.根据权利要求1所述的用于发光二极管封装的绝缘材料,其特征在于,所述碳化硅粉末粒径为50nm~40um。
8.一种制备权利要求1~7任一项所述用于发光二极管封装的绝缘材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)按上述配方称取环氧树脂、乙烯基硅橡胶、聚酰胺、纳米二氧化硅、沉淀法白炭黑、聚四氟乙烯、纳米级水合氧化铝颗粒、三乙基己基磷酸、碳化硅、碳纤维、三氧化二锑、固化剂、抗氧剂、硅烷偶联剂、增粘剂,备用;
(2)将环氧树脂、乙烯基硅橡胶、聚酰胺、聚四氟乙烯及增粘剂混合后加入密炼机中进行密炼,密炼温度为70℃~80℃,密炼时间为15~25分钟,得到第一混合物;
(3)向步骤(2)所得的第一混合物中加入纳米二氧化硅、沉淀法白炭黑、纳米级水合氧化铝颗粒、三乙基己基磷酸、碳化硅、碳纤维、三氧化二锑、固化剂、抗氧剂、硅烷偶联剂,然后置于反应釜中进行高温搅拌,加热温度为110~120℃,搅拌速率为3000~4000r/min,搅拌时间为20~40min,得到第二混合物;
(4)将步骤(3)得到的第二混合物排到双螺杆挤出机中,待混料完全熔融后挤出到注塑机中,在185℃下注塑成型即得所述用于发光二极管封装的绝缘材料。
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