[发明专利]一种上电信号产生电路

说明书

本发明提供一种上电信号产生电路，包括：第一电压生成单元，所述第一电压生成单元的输入端接入供电电压，第一电压生成单元用于根据所述供电电压生成第一电压信号，所述第一电压生成单元的输出端连接至泄放节点；输出单元，所述输出单元的输入端连接至所述泄放节点，所述输出单元的输出端输出所述上电信号，当所述泄放节点的电压大于第一阈值时，所述上电信号翻转；泄放单元，所述泄放单元适于在所述上电信号翻转之前，对所述泄放节点进行电荷泄放。本发明中的上电信号产生电路可以更准确的产生上电信号。

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种上电信号产生电路。

背景技术

在电路领域，通常需要在上电后为工作电路提供上电信号，工作电路可以根据上电信号的触发确定其工作状态，例如进行复位等。工作电路可以是很多种例如可以是非易失存储器(NVM，NonVolatile Memory)电路。

若上电信号的产生不够准确，则会导致工作电路不能正常工作。

发明内容

本发明解决的技术问题是更加准确的产生上电信号。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种上电信号产生电路，包括：第一电压生成单元，所述第一电压生成单元的输入端接入供电电压，第一电压生成单元用于根据所述供电电压生成第一电压信号，所述第一电压生成单元的输出端连接至泄放节点；输出单元，所述输出单元的输入端连接至所述泄放节点，所述输出单元的输出端输出所述上电信号，当所述泄放节点的电压大于第一阈值时，所述上电信号翻转；泄放单元，所述泄放单元适于在所述上电信号翻转之前，对所述泄放节点进行电荷泄放。

可选的，所述泄放单元包括泄放控制单元和泄放通路，所述泄放控制单元适于根据所述输出单元提供的泄放反馈信号生成泄放控制信号，所述泄放通路适于根据所述泄放控制信号的控制建立所述泄放节点与地之间的通路，以进行所述电荷泄放。

可选的，所述泄放反馈信号包括所述上电信号以及所述上电信号的反相信号，所述泄放控制单元包括锁存器，所述锁存器用于根据所述上电信号以及所述上电信号的反相信号输出所述泄放控制信号。

可选的，所述泄放控制单元还包括第二通路和第三通路，所述第二通路受所述上电信号的反相信号的控制，当所述反相信号大于第二阈值时向所述锁存器的正相输入端输入低电平；所述第三通路受上电信号的控制，当所述上电信号大于第三阈值时，向所述锁存器的反相输入端输入低电平。

可选的，所述锁存器包括第一反相器和第二反相器，所述第二通路包括第一NMOS管，所述第三通路包括第二NMOS管；所述第一NMOS管的栅极接入所述反相信号，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述第一反相器的输入端；所述第一反相器的输出端连接至所述第二NMOS管的源极；所述第二NMOS管的栅极连接至所述上电信号，所述第二NMOS管的漏极接地；所述第二反相器的输入端连接至所述第一反相器的输出端，所述第二反相器的输出端连接至所述第一反相器的输入端，所述第二反相器的输出端输出所述泄放控制信号。

可选的，所述泄放通路包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接至所述泄放节点，所述第三NMOS管的栅极接入所述泄放控制信号。

可选的，所述第三NMOS管为长通道NMOS管。

可选的，所述第一电压生成单元包括：第一PMOS管以及电阻；所述第一PMOS管的源极接入所述供电电压，所述第一PMOS管的栅极接地，所述第一PMOS管的漏极连接至所述泄放节点；所述电阻的其中一端连接至所述泄放节点，所述电阻的另一端接地。