[发明专利]一种上电信号产生电路

权利要求书

1.一种上电信号产生电路，其特征在于，包括：

第一电压生成单元，所述第一电压生成单元的输入端接入供电电压，第一电压生成单元用于根据所述供电电压生成第一电压信号，所述第一电压生成单元的输出端连接至泄放节点；

输出单元，所述输出单元的输入端连接至所述泄放节点，所述输出单元的输出端输出所述上电信号，当所述泄放节点的电压大于第一阈值时，所述上电信号翻转；

泄放单元，所述泄放单元适于在所述上电信号翻转之前，对所述泄放节点进行电荷泄放；

所述泄放单元包括泄放控制单元和泄放通路，所述泄放控制单元适于根据所述输出单元提供的泄放反馈信号生成泄放控制信号，所述泄放通路适于根据所述泄放控制信号的控制建立所述泄放节点与地之间的通路，以进行所述电荷泄放。

2.根据权利要求1所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述泄放反馈信号包括所述上电信号以及所述上电信号的反相信号，所述泄放控制单元包括锁存器，所述锁存器用于根据所述上电信号以及所述上电信号的反相信号输出所述泄放控制信号。

3.根据权利要求2所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述泄放控制单元还包括第二通路和第三通路，所述第二通路受所述上电信号的反相信号的控制，当所述反相信号大于第二阈值时向所述锁存器的正相输入端输入低电平；所述第三通路受上电信号的控制，当所述上电信号大于第三阈值时，向所述锁存器的反相输入端输入低电平。

4.根据权利要求3所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述锁存器包括第一反相器和第二反相器，所述第二通路包括第一NMOS管，所述第三通路包括第二NMOS管；

所述第一NMOS管的栅极接入所述反相信号，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述第一反相器的输入端；

所述第一反相器的输出端连接至所述第二NMOS管的源极；

所述第二NMOS管的栅极连接至所述上电信号，所述第二NMOS管的漏极接地；

所述第二反相器的输入端连接至所述第一反相器的输出端，所述第二反相器的输出端连接至所述第一反相器的输入端，所述第二反相器的输出端输出所述泄放控制信号。

5.根据权利要求1所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述泄放通路包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接至所述泄放节点，所述第三NMOS管的栅极接入所述泄放控制信号。

6.根据权利要求5所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述第三NMOS管为长通道NMOS管。

7.根据权利要求1所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述第一电压生成单元包括：第一PMOS管以及电阻；

所述第一PMOS管的源极接入所述供电电压，所述第一PMOS管的栅极接地，所述第一PMOS管的漏极连接至所述泄放节点；

所述电阻的其中一端连接至所述泄放节点，所述电阻的另一端接地。

8.根据权利要求1所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述输出单元包括：第二PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第三反相器以及第四反相器；

所述第二PMOS管的栅极连接至所述泄放节点，所述第二PMOS管的源极接入所述供电电压，所述第二PMOS管的漏极连接至所述第四NMOS管的漏极；

所述第四NMOS管的栅极连接至所述泄放节点，所述第四NMOS管的源极连接至所述第五NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极连接至所述第三反相器的输入端；

所述第五NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的源极接地；

所述第三反相器的输出端连接至所述第四反相器的输入端，所述第四反相器输出所述上电信号。

9.根据权利要求1所述的上电信号产生电路，其特征在于，所述上电信号用于控制工作电路进行上电复位。