[发明专利]柔性OLED显示基板及其制备方法和显示装置在审
申请号: | 201710607931.1 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107170792A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 蒋志亮;张瑜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及柔性OLED显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是主动发光器件,无需背光源,响应速度快,有机材料的发光光谱可调,其发光层是薄膜结构,因此在动态图像显示和色彩方面具有更大的优势,也更容易实现透明、柔性的显示方式。柔性OLED采用无机层与有机层依次堆叠的薄膜封装(Thin Film Encapsulation),喷墨打印(Ink-jet Printer)是制备有机层常用的工艺之一,为了将Ink(油墨)材料打印在指定的区域,会在显示面板上设计挡墙(Dam),参照图1和图2(图2中BP代表基板,图2中上图是Ink溢出挡墙之前的截面图,图2的下图是Ink溢出挡墙之后的截面图),通常设计有Dam1和Dam2,Dam的高度在3~4μm左右,而Ink材料的高度在10μm左右,所以在传统的设计中,由于Ink材料的流动性,Ink材料经常会越过Dam,容易在某一点溢出Dam1&Dam2,从而导致封装信赖性失效。
因此,关于OLED的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种Ink材料溢出风险低、封装信赖性高或产品良率高的柔性OLED显示基板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种柔性OLED显示基板。所述柔性OLED显示基板包括:衬底,衬底具有发光区和围绕发光区设置的非发光区;第一挡墙,第一挡墙位于所述非发光区,环形设置于衬底的一侧,且设置有多个开口;第二挡墙,第二挡墙位于非发光区,设置于第一挡墙的外侧,且与第一挡墙之间具有间隙。由此,由于第一挡墙开口的设置,增加了Ink材料的流动路径,降低Ink材料的溢出风险,提高封装信赖性,提高产品良率。
根据本发明的实施例,第二挡墙为多个U型结构,且每个U型结构的开口与第一挡墙上的每个开口相对设置。
根据本发明的实施例,第二挡墙为封闭的环形结构。
根据本发明的实施例,形成第一挡墙和第二挡墙的材料为聚酰亚胺。
根据本发明的实施例,第一挡墙宽度为30~50微米,第二挡墙的宽度为40~70微米。
根据本发明的实施例,第一挡墙和第二挡墙的高度为3~4微米。
根据本发明的实施例,第一挡墙和第二挡墙之间的间距为30~50微米。
在本发明的另一个方面,本发明提供了一种显示装置。所述显示装置包括前面所述的柔性OLED显示基板。由此,该显示装置使用性能好,封装信赖性高,显示效果佳。
在本发明的有一个方面,本发明提供了一种制备柔性OLED显示基板的方法。该方法包括:提供衬底,衬底具有发光区和围绕发光区设置的非发光区;在非发光区依次形成第一挡墙和第二挡墙,第一挡墙环形设置于衬底的一侧,且设置有多个开口,第二挡墙设置于所述第一挡墙的外侧,且与第一挡墙之间具有间隙。由此,该方法简便成熟,操作简单,成本低,易于工业化生产,由此方法制备的柔性OLED显示基板中的Ink材料溢出风险低,封装信赖度高,可以提高产品良率。
根据本发明的实施例,前面所述的方法进一步包括:在发光区形成有机发光层;在有机发光层远离衬底的一侧形成薄膜封装层。
附图说明
图1是现有技术中柔性OLED显示基板的平面结构示意图。
图2是现有技术中柔性OLED显示基板的截面结构示意图。
图3是本发明的一个实施例中柔性OLED显示基板的平面结构示意图。
图4是本发明的另一个实施例中柔性OLED显示基板的平面结构示意图。
图5是本发明的又一个实施例中柔性OLED显示基板的平面结构示意图。
图6-图8是本发明的又一个实施例中制备柔性OLED显示基板的流程结构示意图。
图9是本发明的又一个实施例中柔性OLED显示基板的截面结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的