[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2016年7月21日提交到韩国知识产权局(“KIPO”)的第10-2016-0092562号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法，更具体地，涉及可以有效地减少(例如，防止)在半导体层的脱氢工艺中对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。

背景技术

发光二极管(“LED”)显示装置包括像素，每个像素包括LED和用于驱动LED的像素电路。像素电路包括多个开关元件。

为了改善开关元件的阈值电压，执行半导体层的脱氢。然而，由于脱氢期间的热处理工艺，信号线会被损坏。

将理解的是，技术部分的背景旨在为理解技术提供有用的背景，如在此所公开的，技术背景部分可以包括在此处所公开的主题的相应的有效提交日期之前的不是被相关领域的技术人员已知或领会的事物的部分的想法、概念或认知。

发明内容

本发明构思的实施例的方面涉及能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。

根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于半导体层上；以及导电层，通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。绝缘层由凹槽限定，所述凹槽与半导体层叠置并且围绕位于接触孔中的导电层；凹槽的尺寸大于接触孔的尺寸。

凹槽具有围绕导电层的环形。

显示装置还可以包括位于绝缘层上的另一个绝缘层。

所述另一个绝缘层的位于凹槽中的部分可以具有环形。

绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于半导体层上，第一绝缘层由虚设孔限定，所述虚设孔围绕位于接触孔中的导电层并且与凹槽叠置；以及第二绝缘层，位于虚设孔中并且位于第一绝缘层上。

虚设孔可以具有围绕位于接触孔中的导电层的环形。

第二绝缘层的位于虚设孔中的部分可以具有环形。

所述至少一个开关元件可以包括：栅电极，位于绝缘层与基底之间；以及源电极或漏电极，位于绝缘层上，源电极或漏电极连接到导电层。

源电极或漏电极可以与导电层是一体的。

显示装置还可以包括：共电极，位于像素电极上；以及显示元件，位于共电极与像素电极之间。

显示元件可以包括有机发光元件或液晶。

显示装置还可以包括：第一电容器，通过第一电容器的一个端子连接到绝缘层上的初始化线；第二电容器，连接在像素电极与数据线之间；以及发光元件，连接在像素电极与共电极之间。

所述至少一个开关元件可以包括：第一开关元件，包括连接到栅极线的栅电极，第一开关元件连接在初始化线与像素电极之间；第二开关元件，包括连接到第一电容器的另一个端子的栅电极，第二开关元件连接在驱动电源线与像素电极之间；以及第三开关元件，包括连接到扫描线的栅电极，第三开关元件连接在第一电容器的另一个端子与像素电极之间。

根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；以及绝缘层，位于半导体层上，绝缘层由与半导体层叠置的凹槽限定。凹槽具有闭环形状，绝缘层包括：第一绝缘层，位于半导体层上，第一绝缘层由与凹槽叠置的虚设孔限定；以及第二绝缘层，位于虚设孔中并且位于第一绝缘层上，第二绝缘层由具有比虚设孔的尺寸小的尺寸的凹槽限定。

所述至少一个开关元件可以包括：栅电极，位于绝缘层与基底之间；以及源电极或漏电极，位于绝缘层上，源电极或漏电极通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。

根据本发明构思的示例性实施例，制造显示装置的方法包括下述步骤：在基底上形成半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅电极以与半导体层叠置；在栅电极和栅极绝缘层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中限定虚设孔，所述虚设孔暴露半导体层；通过虚设孔释放半导体层的氢；以及在虚设孔中并在第一绝缘层上形成第二绝缘层。

所述方法还可以包括：在第二绝缘层中限定接触孔，接触孔暴露半导体层；以及在第二绝缘层上形成源电极或漏电极，源电极或漏电极通过接触孔连接到半导体层。

所述方法还可以包括：形成连接到源电极或漏电极的像素电极、连接到像素电极的发光元件以及连接到发光元件的共电极。