[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201710595856.1 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107219702A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 郝思坤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 钟子敏
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

多条扫描线;

多条数据线,与所述多条扫描线彼此交叉设置,从而定义出多个像素区域;

多条辅助线段,其中,每条所述扫描线和/或每条所述数据线分别对应至少一条辅助线段,所述扫描线和/或所述数据线与所述对应的辅助线段电容耦合以降低所述扫描线和/或所述数据线上的信号延迟时间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助线段包括第一辅助线段和第二辅助线段,其中,所述第一辅助线段平行于所述数据线,且与所述扫描线设置在同一层中;而所述第二辅助线段平行于所述扫描线,且与所述数据线设置在同一层中。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每条所述扫描线对应一个所述像素区域内的部分分别对应一条所述第二辅助线段,且所述第二辅助线段的长度小于所述扫描线对应一个所述像素区域内的部分以使所述第二辅助线段非重叠于所述扫描线和所述数据线的重叠部分;

每条所述数据线对应一个所述像素区域内的部分分别对应一条所述第一辅助线段,且所述第一辅助线段的长度小于所述数据线对应一个所述像素区域内的部分以使所述第一辅助线段非重叠于所述扫描线和所述数据线的重叠部分。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素区域包括薄膜晶体管和像素电极,其中,所述薄膜晶体管的栅极电性连接至一条对应的扫描线,所述薄膜晶体管的源极电性连接至一条对应的数据线,而薄膜晶体管的漏极电性连接至所述像素电极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的栅极与所述第一辅助线段设置在同一层中,而所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述第二辅助线段设置在同一层中。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助线段处于浮接状态,以与所述扫描线或者所述数据线形成电容耦合。

7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成多条扫描线、多条第一辅助线段和多个薄膜晶体管的栅极,其中,每个所述薄膜晶体管的栅极与一条对应的所述扫描线相连;

形成所述多个薄膜晶体管的半导体层;

形成多条数据线、多条第二辅助线段和所述多个薄膜晶体管的源极和漏极,其中,每个所述薄膜晶体管的源极与一条对应的所述数据线相连;

形成多个像素电极,其中,每个所述像素电极与一个对应的所述薄膜晶体管的漏极相连;

其中,每条所述扫描线和/或每条所述数据线分别对应至少一条辅助线段,所述扫描线和/或所述数据线与所述对应的辅助线段电容耦合以降低所述扫描线和/或所述数据线上的信号延迟时间。

8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,在所述形成多条数据线、多条第二辅助线段和所述多个薄膜晶体管的源极和漏极的步骤之后,进一步包括:

形成彩色滤光层,并在所述彩色滤光层中对应设置多个通孔,以在形成所述多个像素电极时使每个所述像素电极与一个对应的所述薄膜晶体管的漏极相连。

9.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,每条所述扫描线对应一个像素区域内的部分分别对应一条所述第二辅助线段,且所述第二辅助线段的长度小于所述扫描线对应一个所述像素区域内的部分以使所述第二辅助线段非重叠于所述扫描线和所述数据线的重叠部分;

每条所述数据线对应一个像素区域内的部分分别对应一条所述第一辅助线段,且所述第一辅助线段的长度小于所述数据线对应一个所述像素区域内的部分以使所述第一辅助线段非重叠于所述扫描线和所述数据线的重叠部分。

10.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任意一项所述的阵列基板。

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