[发明专利]一种圆偏光片及显示器有效
申请号: | 201710592649.0 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN107482037B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B5/30 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏光 显示器 | ||
本发明提供一种圆偏光片,用于显示器上,包括设置在显示器上的透明基板以及设置在透明基板上的多个条状介质线栅;每一介质线栅上均设有由多个线栅形成的线栅阵列,且每一介质线栅分别对应位于显示器的R子像素单元、G子像素单元、B子像素单元之其一的区域上方并具有相应的厚度,使得每一介质线栅均与其对应显示器的子像素单元上形成有四分之一相位延迟。实施本发明,能够解决传统有机相位延迟片无法做到宽谱圆偏效果的问题,改善视觉效果。
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域,尤其涉及一种圆偏光片及显示器。
背景技术
目前主流的显示技术主要包括液晶显示与OLED(有机发光二极管)显示。然而,在上述两种主流显示技术中都会存在对光的相位延迟现象,因此液晶显示通过液晶的偏振调节特性结合来实现光阀作用,而在OLED结构中通常采用线性偏光片与四分之一玻片结合来实现环境光反射的抑制,从而增强户外环境下的显示对比度(如图1所示)。由此可见,偏光片是当前OLED显示技术中必不可少的必要部件,其包括线性偏光片和圆偏光片。
传统的线性偏光片主要基于有机材料制备而成,具有工艺成熟、大面积制备和均匀性较好等优点,但是缺点在于:由于有机材料面临着机械与光学性能不稳定的问题,从而使得线性偏光片随着外界环境(如温度、湿度、空气成分)的变化以及使用时间的延长而逐渐偏离理想态,出现均匀性变差、机械形变、光学透过率改变或者色度差异等问题;同时,由于线性偏光片的偏光作用和相位延迟作用主要是通过有机分子的排布方向来控制,因而使得线性偏光片在正面结构中均具有相同的偏振方向和相位延迟现象,难以以图形化的方式实现各区域的变化。此外,研究人员发现人们主要是通过完全非偏振态自然光来感知信息,但由线性偏光片形成的线偏振光显示器对于人眼存在视觉疲劳和视觉障碍方面的影响。因此,会采用在偏振态的属性方面最接近自然光的圆偏光片来替代线性偏光片。
如图2所示,实现圆偏光片的基本原理是在线性偏光片的基础上叠加四分之一玻片,从而将线偏光转化为圆偏光。显然所谓四分之一玻片的原理是实现光的四分之一波长延迟,但是显示器中实际覆盖了波长380-780nm不同波长的光,如红R、绿G、蓝B等光线,因此仅在特定波长满足相位延迟,难以覆盖整个可见光波段。目前较为通用的做法是使得550nm附近的线偏光转化为圆偏光,其余波长则转化为椭偏光,显然最终显示器的输出光线与自然界的完全非偏振光依然存在较大的差异,对于人眼的视觉健康产生较大的影响。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种圆偏光片及显示器,解决传统有机相位延迟片无法做到宽谱圆偏效果的问题,改善视觉效果。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种圆偏光片,用于显示器上,包括设置在所述显示器上的透明基板以及设置在所述透明基板上的多个条状介质线栅;其中,
每一介质线栅上均设有由多个线栅形成的线栅阵列,且所述每一介质线栅分别对应位于所述显示器的R子像素单元、G子像素单元、B子像素单元之其一的区域上方并具有相应的厚度,使得所述每一介质线栅均与其对应显示器的子像素单元上形成有四分之一相位延迟;
其中,所述每一介质线栅的厚度均由其对应显示器的子像素单元的参考入射波长及其对应入射光水平偏振和垂直偏振形成的折射率差来决定;其中,所述水平偏振的折射率为入射光线偏为布洛赫Bloch波TM模式下的折射率,所述垂直偏振的折射率为入射光线偏为布洛赫Bloch波TE模式下的折射率。
其中,所述每一介质线栅上所含线栅阵列的线栅均为同材质、同周期及同占空比的线栅。
其中,所述线栅的周期位于100nm~700nm之间;所述线栅的占空比位于0.1~0.9之间。
其中,所述每一介质线栅上均还包括位于其对应线栅阵列与所述透明基板之间的介质层。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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