[发明专利]一种圆偏光片及显示器有效
申请号: | 201710592649.0 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN107482037B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B5/30 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏光 显示器 | ||
1.一种圆偏光片,用于显示器上,其特征在于,包括设置在所述显示器上的透明基板以及设置在所述透明基板上的多个条状介质线栅;其中,
每一介质线栅上均设有由多个线栅形成的线栅阵列,且所述每一介质线栅分别对应位于所述显示器的R子像素单元、G子像素单元、B子像素单元之其一的区域上方并具有相应的厚度,使得所述每一介质线栅均与其对应显示器的子像素单元上形成有四分之一相位延迟;
其中,所述每一介质线栅的厚度均由其对应显示器的子像素单元的参考入射波长及其对应入射光水平偏振和垂直偏振形成的折射率差来决定;其中,所述水平偏振的折射率为入射光线偏为布洛赫Bloch波TM模式下的折射率,所述垂直偏振的折射率为入射光线偏为布洛赫Bloch波TE模式下的折射率。
2.如权利要求1所述的圆偏光片,其特征在于,所述每一介质线栅上所含线栅阵列的线栅均为同材质、同周期及同占空比的线栅。
3.如权利要求2所述的圆偏光片,其特征在于,所述线栅的周期位于100nm~700nm之间;所述线栅的占空比位于0.1~0.9之间。
4.如权利要求3所述的圆偏光片,其特征在于,所述每一介质线栅上均还包括位于其对应线栅阵列与所述透明基板之间的介质层。
5.如权利要求4所述的圆偏光片,其特征在于,每一介质层均采用聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5之中任一种材质制作而成。
6.如权利要求5所述的圆偏光片,其特征在于,通过公式d=λ/(4*Δn),计算获得所述每一介质线栅的厚度;其中,d为所述每一介质线栅的厚度;λ为所述每一介质线栅各自对应显示器的子像素单元的参考入射波长;Δn为所述每一介质线栅对应入射光水平偏振和垂直偏振形成的折射率差,并取绝对值。
7.如权利要求6所述的圆偏光片,其特征在于,所述每一介质线栅的厚度均位于0.1μm~10μm之间。
8.如权利要求7所述的圆偏光片,其特征在于,所述显示器的R子像素单元的参考入射波长为630nm,G子像素单元的参考入射波长为550nm,B子像素单元的参考入射波长为450nm。
9.一种显示器,其特征在于,包括本体以及设置在所述本体上的如权利要求1至8中任一项所述的圆偏光片;其中,
所述本体上形成有R子像素单元、G子像素单元、B子像素单元,且每一R子像素单元、每一G子像素单元和每一B子像素单元均分别对应所述圆偏光片上的一个具有相应厚度的介质线栅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的