[发明专利]一种HIBC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种HIBC电池，包括硅衬底(1)、电极(5)和依次设置在所述硅衬底(1)的背表面上的第一本征非晶硅层(3)以及掺杂非晶硅层(4)，所述电极(5)与所述掺杂非晶硅层(4)连接，其特征在于，所述硅衬底(1)与所述第一本征非晶硅层(3)之间设置有氢化非晶氧化硅层(2)。

2.根据权利要求1所述的HIBC电池，其特征在于，所述HIBC电池还包括第二本征非晶硅层(6)、N型非晶硅层(7)以及减反射膜层(8)，所述第二本征非晶硅层(6)、N型非晶硅层(7)以及减反射膜层(8)依次设置在所述硅衬底(1)的正表面上。

3.根据权利要求2所述的HIBC电池，其特征在于，所述减反射膜层(8)为氮化硅薄膜。

4.根据权利要求1-3任一所述的HIBC电池，其特征在于，所述HIBC电池还包括设置在所述掺杂非晶硅层(4)上的透明导电膜层(9)，所述掺杂非晶硅层(4)包括N型非晶硅区(41)和P型非晶硅区(42)，所述电极(5)通过所述透明导电膜层(9)分别收集所述N型非晶硅区(41)以及P型非晶硅区(42)的电流。

5.根据权利要求1所述的HIBC电池，其特征在于，所述氢化非晶氧化硅层(2)的厚度为1～10nm。

6.根据权利要求1所述的HIBC电池，其特征在于，所述硅衬底(1)为N型单晶硅衬底。

7.一种HIBC电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、提供一硅衬底(1)，通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述硅衬底(1)的背表面上沉积一层氢化非晶氧化硅层(2)；

S2、通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述氢化非晶氧化硅层(2)上沉积一层第一本征非晶硅层(3)；

S3、采用硬掩膜技术遮挡在所述第一本征非晶硅层(3)上预定形成N型非晶硅区(41)的区域，通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一本征非晶硅层(3)上沉积P型非晶硅区(42)；

S4、采用硬掩膜技术遮挡在所述第一本征非晶硅层(3)上的P型非晶硅区(42)，通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一本征非晶硅层(3)上沉积N型非晶硅区(41)，使所述N型非晶硅区(41)和P型非晶硅区(42)排列为叉指式PN结，形成掺杂非晶硅层(4)；

S5、采用丝网印刷工艺或电镀工艺印刷电极(5)，分别将所述N型非晶硅区(41)以及P型非晶硅区(42)的电流引出。

8.根据权利要求7所述的HIBC电池的制备方法，其特征在于，上述步骤S3中，所述硅衬底(1)的正表面上通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积一层第二本征非晶硅层(6)；上述步骤S4中，所述第二本征非晶硅层(6)上通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积一层N型非晶硅层(7)，所述N型非晶硅层(7)上通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积一层减反射膜层(8)。

9.根据权利要求8所述的HIBC电池的制备方法，其特征在于，上述步骤S5中，所述掺杂非晶硅层(4)上采用物理气相沉积工艺或反应等离子体沉积工艺沉积一层透明导电膜层(9)，所述电极(5)印刷在所述透明导电膜层(9)上，使所述电极(5)通过所述透明导电膜层(9)与所述掺杂非晶硅层(4)连接。

10.根据权利要求7-9任一所述的HIBC电池的制备方法，其特征在于，所述硅衬底(1)的背表面上沉积的所述氢化非晶氧化硅层(2)的厚度为1～10nm。