[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板一侧的多层半导体层；

位于所述多层半导体层远离所述衬底基板一侧的至少两个电极；

第一保护层，所述第一保护层位于所述至少两个电极远离所述多层半导体层的一侧；

第二保护层，位于所述至少两个电极之间的多层半导体层上、以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上，所述第二保护层为疏水材料；其中，所述第二保护层由与所述第一保护层材料相同且在同一工艺中制备得到的膜层处理所得。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其他特征在于，所述第一保护层为石墨烯层，所述第二保护层为氟化石墨烯层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

介质层，所述介质层位于所述至少两个电极之间的多层半导体层上；

其中，所述第二保护层位于所述介质层上、以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述第一保护层上的处理层；

位于所述处理层以及位于所述第二保护层上的第三保护层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述处理层为石墨烯处理层，所述第三保护层为氟化石墨烯层。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述石墨烯层为本征石墨烯层，或者掺杂石墨烯层。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述石墨烯层的材料包括单层石墨烯、双层石墨烯、多层石墨烯、石墨烯纳米片、石墨烯纳米墙中的任意一种或多种。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多层半导体层包括：

位于所述衬底基板上的成核层；

位于所述成核层上远离所述衬底基板一侧的缓冲层；

位于所述缓冲层上远离所述成核层一侧的沟道层；

位于所述沟道层上远离所述缓冲层一侧的势垒层，所述势垒层和所述沟道层形成异质结结构，在所述异质结结构处形成二维电子气。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板一侧制备多层半导体层；

在所述多层半导体层远离所述衬底基板的一侧制备至少两个电极；

在所述至少两个电极上远离衬底基板的一侧制备第一保护层；在所述至少两个电极之间的多层半导体层上、以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上制备第二保护层，所述第二保护层材料为疏水材料；

其中，在所述至少两个电极上远离衬底基板的一侧制备第一保护层；在所述至少两个电极之间的多层半导体层上、以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上制备第二保护层，包括：

在所述至少两个电极和多层半导体层上远离衬底基板的一侧，以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上制备第一保护层，所述第一保护层覆盖所述至少两个电极和多层半导体层以及所述至少两个电极之间的电极侧壁；

对位于所述至少两个电极之间的所述多层半导体层上，以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上的第一保护层进行处理，得到第二保护层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层为石墨烯层，所述第二保护层为氟化石墨烯层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，对位于所述至少两个电极之间的多层半导体层上、所述至少两个电极之间的电极侧壁上的第一保护层进行处理，得到第二保护层，包括：

对位于所述至少两个电极之间的多层半导体层上，以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上的第一保护层进行氟化处理，得到第二保护层。