[发明专利]一种GaN HEMT器件的制作方法

权利要求书

1.一种GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在表面包含P型GaN层的GaNHEMT结构上形成栅极保护掩膜和空穴注入极区域保护掩膜，去除栅极保护掩膜和空穴注入极区域保护掩膜之外的P型GaN层，形成P型GaN栅极和P型GaN空穴注入极区域；

S2、在形成栅极区域和空穴注入极区域的GaNHEMT结构上制备源极和漏极，所述空穴注入极区域位于栅极区域和漏极之间；

S3、在具备源极和漏极的GaNHEMT结构上形成有源隔离区；

S4、在形成有源隔离区的GaNHEMT结构上通过光刻显影方式打开所述空穴注入极区域，在所述GaNHEMT结构表面淀积一层金属Ni，并剥离空穴注入极区域之外的金属Ni；

S5、对剥离完金属Ni的GaNHEMT结构进行氧化处理，将金属Ni氧化形成NiO空穴注入极；

S6、在具有NiO空穴注入极的GaNHEMT结构上通过光刻显影方式打开所述栅极区域，在栅极区域制备栅极；

S7、通过光刻显影方式打开栅极、源极、漏极及空穴注入极区域，连通漏极与NiO空穴注入极，并分别对栅极、源极、漏极进行加厚。

2.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中的保护掩膜为光刻胶、氧化硅或氮化硅，去除P型GaN层的方法为干法刻蚀或氧化辅助湿法腐蚀。

3.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：在形成栅极区域和空穴注入极区域的GaNHEMT结构上通过光刻显影形成欧姆电极区域，在GaNHEMT结构上淀积欧姆金属，剥离欧姆电极区域之外的欧姆金属后进行欧姆金属合金反应，形成源极和漏极，所述空穴注入极区域位于栅极区域和漏极之间。

4.根据权利要求3所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中的欧姆金属从下至上依次为Ti、Al、Ni及Au，厚度依次为20nm、160nm、50nm及100nm。

5.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中金属Ni的厚度为2-50nm。

6.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中氧化方式为热氧化，氧化温度为500-600℃，氧化保护气体为氧气，氧化时间为10-60min。

7.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S6具体为：通过光刻显影方式打开所述栅极区域，在具有NiO空穴注入极的GaNHEMT结构上淀积栅极金属，剥离栅极区域之外的栅极金属，栅极区域上的栅极金属形成栅极。

8.根据权利要求7所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中的栅极金属依次为Ni和Au，厚度分别为50nm和300nm。

9.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S7具体为：通过光刻显影方式打开栅极、源极、漏极及空穴注入极区域，将漏极与空穴注入极区域连通，在所述GaNHEMT结构表面淀积电极金属，并剥离栅极、源极、漏极顶部之外的电极金属，形成加厚的栅极、源极及漏极。