[发明专利]一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法在审
申请号: | 201710581797.2 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107393821A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 古进;杨波;蔡美晨;龚昌明;张翼 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/56 |
代理公司: | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可靠 玻璃 钝化 微型 二极管 制造 方法 | ||
1.一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,包括管芯的制备、电极焊接、处理封装,其具体工艺方法为:
a、管芯制备:
a-1、通过深度扩散的在单晶硅片上形成PN结,通过电子束蒸发在PN结的P面和N面制备金属薄膜层;
a-2、通过吹砂切割将镀有金属薄膜层的单晶硅片吹砂成型;
a-3、采用清洗剂对切割好的管芯进行腐蚀清洗,腐蚀完成后的管芯用丙酮进行超声波清洗,再用酒精进行超声波清洗,然后脱水、烘干;
b、电极焊接:通过高温真空烧结将电极与金属引线烧焊成一个整体的电极引线,再电极引线、管芯、电极引线依次竖直叠放到石墨模具中,再将石墨模具放入真空烧结炉中将电极引线和管芯进行600℃~800℃的高温熔焊键合。
c、处理封装:
c-1、使用酸腐蚀液对烧焊后的二极管进行酸腐蚀30~120s;
c-2、将酸腐蚀后的二极管放入碱腐蚀液中腐蚀清洗60~180s;
c-3、使用冷、热去离子水交替冲洗10次;
c-4、使用玻璃粉浆在二极管表面均匀涂覆形成均匀的球体,然后低温成型2~3h;
c-5、在引线上装上焊料和电极片后使用300~400℃温度烧结;
c-6、多余引线切除。
2.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:金属薄膜层的材料为铝。
3.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65%~68%的硝酸、≥40%的氢氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按体积比1.2:1:1:2:2的混合溶液。
4.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述碱腐蚀液为3%~6%的氢氧化钾溶液,其碱腐蚀温度为58~98℃。
5.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述钝化液按质量百分比是≥30%的双氧水、≥85%的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液。
6.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述玻璃粉的主要含量为二氧化硅、氧化锌、三氧化二硼。
7.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述低温成型的升温速率10~15℃/min,升温时间45~65min,烧结温度600~680℃,恒温时间5~40min,降温速率≤5℃/min。
8.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述清洗剂按质量百分比是65%~68%的硝酸、≥40%的氢氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸按体积比8:2:2:5的混合溶液。
9.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述焊料为铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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