[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，包括：有源层图形、源极和漏极，源极和漏极覆盖有源层图形的部分区域，有源层图形上未被源极和漏极所覆盖的部分为可导电图形，可导电图形包括：连接源极和漏极的主体部和位于主体部两侧的若干个凸起部，凸起部与主体部连接。本发明的技术方案通过在连接源极和漏极的主体部的两侧分别设置若干个凸起部，可使得可导电图形中连接源极和漏极的边缘可导电区域的长度增长，从而使得边缘可导电区域的阈值电压增大，边缘可导电区域能够后于主可导电区域导通，进而可有效解决因边缘可导电区域先于主可导电区域导通后产生漏电流的问题，有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

图1为现有的薄膜晶体管的俯视图，如图1所示，该薄膜晶体管包括：形状为矩形的有源层图形3、与有源层图形3连接的源极1和漏极2，源极1覆盖有源层图形3的部分区域，漏极2覆盖有源层图形3的部分区域，有源层图形3上未被源极1和漏极2所覆盖的部分为该薄膜晶体管的可导电区域。在薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压后，在可导电区域中形成有导电沟道，薄膜晶体管中的源极1和漏极2导通。

在通过刻蚀工艺对有源层薄膜进行刻蚀以形成有源层图形3时，不可避免的会在有源层图形3的边缘区域形成斜坡。此时，可导电区域包括主可导电区域main和位于主可导电区域main两侧的边缘可导电区域sub。

由于边缘可导电区域sub的宽度较窄，载流子在源极1和漏极2之间运动时运动路径呈直线(边缘可导电区域sub对应的沟道长度近似等于源极1和漏极2之间的间距)；而主可导电区域main的宽度较宽，载流子在源极1和漏极2之间运动时运动路径呈曲线(主可导电区域main对应的沟道长度明显大于源极1和漏极2之间的间距)。相应地，边缘可导电区域sub的阈值电压小于主可导电区域main的阈值电压，边缘可导电区域sub先于主可导电区域main形成导电沟道(边缘可导电区域先于主可导电区域导通)，此时在边缘可导电区域sub中会存在漏电流，相应地薄膜晶体管的伏安特性曲线会出现驼峰(Humping)现象，薄膜晶体管的工作稳定性较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层图形、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。

可选地，所述凸起部的形状为矩形、三角形或梯形。

可选地，位于所述主体部两侧的凸起部的数量相等。

可选地，所述可导电图形为轴对称图形或中心对称图形。

可选地，所述薄膜晶体管中的所述有源层图形的数量为2个或多个。

可选地，所述主体部的宽度范围包括：5um～15um。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述的薄膜晶体管。

为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括阵列基板，该阵列基板采用上述的阵列基板。

为实现上述目的，本发明还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：