[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层图形、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凸起部的形状为矩形、三角形或梯形。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，位于所述主体部两侧的凸起部的数量相等。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述可导电图形为轴对称图形或中心对称图形。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的所述有源层图形的数量为2个或多个。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述主体部的宽度范围包括：5um～15um。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-6中任一所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求7所述的阵列基板。

9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层图形、源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成有源层图形、源极和漏极的步骤具体包括：

在衬底基板上形成有源层材料薄膜；

在有源层材料薄膜背向所述衬底基板的一侧且对应预设区域形成刻蚀阻挡层，所述预设区域包括主体区域和凸起区域，所述主体区域与后续待形成的可导电图形的主体部对应，所述凸起区域与后续待形成的可导电图形的凸起部对应；

在所述刻蚀阻挡层和所述有源层材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成导电材料薄膜；

在所述导电材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成光刻胶；

使用掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于后续待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留；

对所述导电材料薄膜和有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜上对应所述光刻胶的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形，所述有源层材料薄膜对应所述光刻胶的部分和对应所述刻蚀阻挡层的部分完全保留以得到所述有源层图形。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成有源层图形、源极和漏极的步骤具体包括：

在衬底基板上形成有源层材料薄膜；

在所述有源层材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成导电材料薄膜；

在所述导电材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成光刻胶；

使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留，对应于预设区域的光刻胶部分保留，所述预设区域包括主体区域和凸起区域，所述主体区域与后续待形成的可导电图形的主体部对应，所述凸起区域与后续待形成的可导电图形的凸起部对应；

对所述导电材料薄膜、所述有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜和所述有源层材料薄膜对应光刻胶的部分完全保留，以得到所述有源层图形；

对所述光刻胶进行灰化处理，对应于源极和漏极的区域的光刻胶部分保留，位于预设区域的光刻胶完全去除；

对所述导电材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形。