[发明专利]化银工艺中爬银的抑制方法

说明书

技术领域

本发明属于抑制爬银技术领域，具体涉及一种化银工艺中爬银的抑制方法。

背景技术

一般来说印制电路板多采用化银工艺进行金属化表面处理，但是其存在的缺点是容易产生爬银从而影响电路板的质量和使用寿命。爬银问题会影响线路线宽线隙，从而影响线路信号传递，严重时会导致信号偏移、失真，使其失去原有的功能。目前还没有一种技术专用于解决化银工艺的爬银(Silver Overflow)问题。对于当前在化银工艺中出现的爬银问题也没有特别有效的解决方法，现有的方法只能起到改善作用，生产效率低，成本高。

发明内容

本发明的目的在于解决以上现有技术中存在的技术问题，提供一种爬银抑制效果好、生产成本低的化银工艺中爬银的抑制方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种化银工艺中爬银的抑制方法，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。

进一步的，在步骤A之前，还包括步骤S，S.待化银的电路板的预处理：电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后，得到待化银的电路板。

进一步的，在步骤A之后，还包括步骤J，J.化银：将待化银的电路板进行化银处理。

进一步的，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一种或几种。

进一步的，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液；所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15％-25％。

进一步的，所述单乙醇胺的浸润温度为40-60℃。

进一步的，所述单乙醇胺的浸润时间为10-20min。

本发明相对于现有技术的有益效果是：本发明的化银工艺中爬银的抑制方法，采用有机醇胺作为抑制剂，通过将现有的化银工艺进行改进，即在电路板进行化银操作时先用有机醇胺进行处理，经过本发明中的实验测试，优选出了单乙醇胺水溶液作为最佳的抑制剂，并在优化条件下，实现了最优的抑制爬银的技术效果，从而，本发明的方法可以抑制印制电路板在化银工艺中出现的爬银品质缺陷，并且使用方便，操作简单，进而采用本发明后生产效率更高，相对成本更低。

附图说明

图1本发明测试例1未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图2本发明测试例1低温下(20℃-30℃)采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板。

图3本发明测试例1高温下(40℃-60℃)采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板。

图4本发明测试例2未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图5本发明测试例2采用低浓度单乙醇胺水溶液(质量分数为5％-10％)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图6本发明测试例2采用高浓度单乙醇胺水溶液(质量分数为15％-25％)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图7本发明测试例3未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图8本发明测试例3采用单乙醇胺水溶液短时间内(2min-6min)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图9本发明测试例3采用单乙醇胺水溶液长时间内(10min-20min)进行爬银抑制处理后的印制电路板。

图10现有技术未做爬银抑制处理得到的印制电路板。

图11采用本发明的爬银抑制处理方法得到的印制电路板。

其中，图1中爬银宽度L1为27～36μm，图2中爬银宽度L2为11～16μm；图3中没有爬银；图4中爬银宽度L3为27～29μm；图5中爬银宽度L4为13～15μm；图6中没有爬银；图7中爬银宽度L5为27～36μm；图8中爬银宽度L6为11～12μm；图9中没有爬银；图10中爬银宽度L7＞26μm；图11中没有爬银。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明的技术方案进行详细的说明，以使本领域的技术人员在阅读了本发明说明书的基础上能够充分完整的实现本发明的技术方案，并解决本发明所要解决的现有技术中存在的问题。应当说明的是，以下仅是本发明的优选实施方式，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些应当都属于本发明的保护范围。

实施例

一种化银工艺中爬银的抑制方法，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。