[发明专利]膜厚测定装置、研磨装置、膜厚测定方法及研磨方法有效

专利信息
申请号: 201710566936.4 申请日: 2017-07-12
公开(公告)号: CN107617969B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 中村显 申请(专利权)人: 株式会社荏原制作所
主分类号: B24B37/013 分类号: B24B37/013
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 测定 装置 研磨 方法
【权利要求书】:

1.一种膜厚测定装置,为了测定研磨对象物的膜厚,在通过涡电流传感器检测能够形成在所述研磨对象物的涡电流作为阻抗时,输入所述阻抗,并从输入的所述阻抗求出所述膜厚,所述膜厚测定装置的特征在于,

在使所述阻抗的电阻成分与电抗成分分别对应于具有2个正交坐标轴的坐标系统的各轴时,对应于所述阻抗的所述坐标系统上的点形成圆的至少一部分,

所述膜厚测定装置具有:

角算出部,其算出第一直线与通过第一点的所述圆的直径所形成的角的正切或角度,所述第一直线为将对应于膜厚为零时的所述阻抗的所述第一点及对应于膜厚为非零时的所述阻抗的第二点连结的直线;及

膜厚算出部,其从所述正切或所述角度求出所述膜厚。

2.如权利要求1所述的膜厚测定装置,其特征在于,

所述膜厚测定装置具有能够存储所述圆的中心位置的第一存储部,所述圆的中心位置能够从所述圆上的通过所述涡电流传感器获得的多个所述第二点算出,

所述角算出部从存储的所述圆的中心位置、所述第一点、及算出所述圆的中心位置后通过所述涡电流传感器获得的所述第二点,算出所述正切或所述角度。

3.如权利要求1所述的膜厚测定装置,其特征在于,

所述研磨对象物与所述涡电流传感器之间的距离不同时获得的阻抗所对应的所述坐标系统上的点形成不同的所述圆,不同的所述圆的各个中心在第二直线上,

所述膜厚测定装置具有第二存储部,其能够存储所述第二直线的信息,

所述角算出部将存储的所述第二直线上的点、且为距所述第一点的距离与距所述第二点的距离相同的点判断为该第二点所属的所述圆的中心,并从该圆的中心位置、所述第一点、及该第二点算出所述正切或所述角度。

4.如权利要求1所述的膜厚测定装置,其特征在于,

所述研磨对象物与所述涡电流传感器之间的距离不同时获得的阻抗所对应的所述坐标系统上的点形成不同的所述圆,不同的所述圆的各个中心在第二直线上,且所述第一点在所述第二直线上,

所述膜厚测定装置具有第二存储部,其能够存储所述第二直线的信息,

所述角算出部将存储的所述第二直线与所述第一直线形成的角的角度,作为所述第一直线与通过所述第一点的所述圆的所述直径形成的所述角的所述角度而算出所述正切或所述角度。

5.如权利要求3或4所述的膜厚测定装置,其特征在于,

所述膜厚测定装置具有直线算出部,其算出所述第二直线的信息,

所述直线算出部关于所述研磨对象物与所述涡电流传感器之间的不同距离所对应的至少2个所述圆,分别从该圆上的至少3点算出各个该圆的中心,并将连结所算出的至少2个该圆中心的直线信息作为所述第二直线的信息而输出至所述第二存储部,

所述第二存储部存储所输入的该第二直线的信息。

6.如权利要求3或4所述的膜厚测定装置,其特征在于,

关于所述圆,所述研磨对象物与所述涡电流传感器之间的距离不同时获得的阻抗所对应的所述坐标系统上的点形成不同的所述圆,所述第一点为在不同的所述圆中共同的点,

所述膜厚测定装置具有直线算出部,其算出所述第二直线的信息,

所述直线算出部关于1个所述圆,从该圆上的至少3点算出该圆的中心,并将连结所算出的该圆中心与所述第一点的直线信息作为所述第二直线的信息而输出至所述第二存储部,

所述第二存储部存储所输入的该第二直线的信息。

7.一种研磨装置,对研磨对象物进行研磨,所述研磨装置的特征在于,具有:

研磨部,其进行所述研磨对象物的研磨;

涡电流传感器,其为了测定所述研磨对象物的膜厚,而在所述研磨对象物上形成涡电流,并且检测所形成的所述涡电流;

接收部,其将检测出的所述涡电流作为阻抗而输出;及

权利要求1-6项中任一项的膜厚测定装置,其输入所述阻抗,并从所输入的所述阻抗求出所述膜厚。

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