[发明专利]体声波滤波器装置

说明书

本申请要求于2016年7月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0089378号以及于2016年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0154674号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波滤波器装置。

背景技术

近来，根据通信技术的飞速发展，存在对开发信号处理技术以及射频(RF)组件技术的需求。

具体地，根据无线通信装置小型化的趋势，存在对小型化的射频组件的积极需求。已经通过使用制造半导体薄膜晶圆的技术将滤波器制造为体声波(BAW)谐振器来实现射频组件中的滤波器的小型化。

体声波(BAW)谐振器将如下的薄膜型元件实现为滤波器：其中压电介电材料沉积在作为半导体基板的硅晶圆上，以通过利用压电介电材料的压电特性来产生谐振。体声波(BAW)谐振器的应用领域包括诸如移动通信装置、化学和生物装置以及其它类似装置中使用的那些小且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件以及声谐振质量传感器。

此外，已经研究了各种结构形状和功能来增强体声波谐振器的功能和结构特性，并且有必要开发减小体声波谐振器的特性变化的结构和技术。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据实施例，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：谐振部，设置在基板上；电极连接部，连接所述谐振部的电极；第一层，设置在所述基板上；以及第二层，设置在所述第一层的除了设置所述电极连接部的区域之外的区域上。

所述第一层可由二氧化硅(SiO₂)、包含二氧化硅(SiO₂)的材料、氮化铝(AlN)或包含氮化铝(AlN)的材料形成，并且所述第二层可由氮化硅(SiN)或包含氮化硅(SiN)的材料形成。

气隙可设置在所述第一层的下面，所述第一层设置在所述谐振部的下部中。

所述谐振部可包括：下电极，设置在所述第二层上；压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；以及上电极，设置在所述压电层上。

所述体声波滤波器装置还可包括框架层，所述框架层设置在所述上电极上。

所述框架层和所述上电极可由相同的材料形成。

所述体声波滤波器装置还可包括第三层，所述第三层设置为覆盖所述框架层和所述下电极的除了设置金属焊盘的部分之外的部分。

所述体声波滤波器装置还可包括框架层，所述框架层设置在所述上电极和所述压电层之间。

根据实施例，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器包括：谐振部，设置在基板上；电极连接部，连接所述谐振部的电极；第一层，设置在所述基板上，并由二氧化硅(SiO₂)、包含二氧化硅(SiO₂)的材料、氮化铝(AlN)或包含氮化铝(AlN)的材料形成；以及第二层，设置在所述第一层的除了设置所述电极连接部的部分之外的部分上，并由氮化硅(SiN)或包含氮化硅(SiN)的材料形成。

所述第二层可设置在所述第一层上，以便设置在所述第一层的除了设置所述电极连接部的所述部分之外的剩余部分上。所述第二层可设置在所述谐振部的下部中。

气隙可设置在设置于所述谐振部的下部中的所述第一层的下面。

所述谐振部可包括：下电极，设置在所述第二层上；压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；以及上电极，设置在所述压电层上。

所述体声波滤波器装置还可包括框架层，所述框架层设置在所述上电极上。

所述上电极和所述框架层可由相同的材料形成。

所述体声波滤波器装置还可包括第三层，所述第三层设置为覆盖所述框架层和所述下电极的除了设置金属焊盘的部分之外的部分。

所述体声波滤波器装置还可包括框架层，所述框架层设置在所述上电极和所述压电层之间。

根据实施例，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：第一层，设置在基板上，并包括设置在所述基板和所述第一层之间的气隙；第二层；第三层，设置在所述第一层的部分的上面；下电极，设置在所述第二层的一部分和所述第一层的一部分上；以及压电层，覆盖所述下电极的一部分和所述第二层的一部分，其中，所述第二层可设置在所述第一层的除了可设置所述第三层和所述下电极的区域之外的区域上，且位于所述气隙的上面。