[发明专利]体声波滤波器装置

权利要求书

1.一种体声波滤波器装置，包括：

谐振部，设置在基板上；

电极连接部，连接所述谐振部的电极；

第一层，设置在所述基板上；以及

第二层，设置在所述第一层的除了设置所述电极连接部的区域之外的区域上。

2.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一层由二氧化硅、包含二氧化硅的材料、氮化铝或包含氮化铝的材料形成，并且所述第二层由氮化硅或包含氮化硅的材料形成。

3.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，气隙设置在所述第一层的下面，所述第一层设置在所述谐振部的下部中。

4.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述谐振部包括：

下电极，设置在所述第二层上；

压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；以及

上电极，设置在所述压电层上。

5.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

框架层，设置在所述上电极上。

6.根据权利要求5所述的体声波滤波器装置，其中，所述框架层和所述上电极由相同的材料形成。

7.根据权利要求5所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

第三层，设置为覆盖所述框架层和所述下电极的除了设置金属焊盘的部分之外的部分。

8.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

框架层，设置在所述上电极和所述压电层之间。

9.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述第二层设置在所述谐振部的下部中。

10.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，气隙设置在设置于所述谐振部的下部中的所述第一层的下面。

11.根据权利要求10所述的体声波滤波器装置，其中，所述谐振部包括：

下电极，设置在所述第二层上；

压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；以及

上电极，设置在所述压电层上。

12.根据权利要求11所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

框架层，设置在所述上电极上。

13.根据权利要求12所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极和所述框架层由相同的材料形成。

14.根据权利要求12所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

第三层，设置为覆盖所述框架层和所述下电极的除了设置金属焊盘的部分之外的部分。

15.根据权利要求11所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

框架层，设置在所述上电极和所述压电层之间。

16.一种体声波滤波器装置，包括：

第一层，设置在基板上，并包括设置在所述基板和所述第一层之间的气隙；

第二层；

第三层，设置在所述第一层的部分的上面；

下电极，设置在所述第二层的一部分和所述第一层的一部分上；以及

压电层，覆盖所述下电极的一部分和所述第二层的一部分，

其中，所述第二层设置在所述第一层的除了设置所述第三层和所述下电极的区域之外的区域上，且位于所述气隙的上面。

17.根据权利要求16所述的体声波滤波器装置，其中，所述第二层设置在所述第一层的除了设置所述压电层的区域之外的区域上。

18.根据权利要求16所述的体声波滤波器装置，其中，所述下电极覆盖所述第二层的至少一部分，所述下电极从所述第二层的侧表面延伸到设置所述压电层和所述第三层且位于所述气隙上面的区域。