[发明专利]第三代半导体偏置电路一体化设计在审
| 申请号： | 201710563693.9 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107395143A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘建波 | 申请（专利权）人： | 南京正銮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F3/21 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市和*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第三代 半导体 偏置 电路 一体化 设计 | ||
【权利要求书】：
1.第三代半导体偏置电路一体化设计，其特征在于，包括：定向耦合器、功率放大器、稳压块、检波器、电位器、调制器、负载；外电源供电至所述稳压块和所述调制器，所述稳压块分别与所述检波器和所述调制器连接，并且分出栅极电压连接至所述功率放大器的输入端；所述检波器分别与所述稳压块、所述调制器连接，同时连接所述电位器和所述负载；所述调制器分出漏极电压连接至功率放大器的输出端；射频输入至所述定向耦合器的输入端，所述功率放大器的输入端分别连接所述定向耦合器的输出端和栅极电压。
2.根据权利要求1所述的第三代半导体偏置电路一体化设计，其特征在于，所述检波器与负载经过所述定向耦合器连接。
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