[发明专利]基座以及物理气相沉积装置

说明书

技术领域

本公开的实施例涉及一种基座以及包括该基座的物理气相沉积装置。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在衬底表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜及分子束外延等。目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

物理气相沉积装置本身的性能直接影响所沉积的膜层的质量和产率等。随着对于各种器件膜层精度、质量以及产率的要求不断提高，对于物理气相沉积装置本身性能的改进有着持续的推动力。

发明内容

根据本公开的一个实施例提供一种基座，包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。

在一些示例中，所述支撑件的远离所述支撑面的端部与所述支撑面之间的距离大于所述支撑柱的远离所述支撑面的端部与所述支撑面之间的距离。

在一些示例中，所述支撑件为环状结构。

在一些示例中，所述支撑件包括位于所述基座本体的周边区域的多个子支撑件。

在一些示例中，所述多个子支撑件的个数为三个以上，且沿所述基座本体的周向均匀分布。

在一些示例中，所述支撑件的靠近所述支撑柱的内侧具有朝向所述支撑柱延伸的延伸部，所述延伸部的至少靠近内侧的部分的上表面为平行于所述支撑面的平面，且该平面距所述支撑面的距离小于或等于所述支撑柱的远离所述支撑面的端部距所述支撑面的距离。

在一些示例中，在所述待加工件支撑在所述支撑柱上时，所述待加工件的边缘部分与所述延伸部的所述平面的至少一部分在所述支撑面上的投影重叠，所述支撑件的在所述延伸部的所述平面以上的部分位于所述待加工件的外侧。

在一些示例中，在垂直于所述支撑面的方向上，所述待加工件的下表面与所述支撑件的延伸部的所述平面彼此相对的部分之间形成第一间隙，所述第一间隙在所述支撑面上的投影的径向长度与所述第一间隙的高度之比大于5。

在一些示例中，在所述待加工件支撑在所述支撑柱上且所述盖环支撑在所述支撑件上时，所述盖环的至少靠近内侧的部分与所述待加工件在所述支撑面上的投影重叠。

在一些示例中，在垂直于所述支撑面的方向上，所述待加工件的上表面与所述盖环的至少靠近内侧的部分的下表面彼此相对以形成第二间隙，所述第二间隙所述支撑面上的投影的径向长度与所述第二间隙的高度之比大于5。

在一些示例中，所述支撑柱包括多个子支撑柱，所述多个子支撑柱中的至少之一为热电偶。

在一些示例中，所述支撑件在远离所述基座本体的一侧具有至少一个豁口，所述支撑件在所述豁口处的顶端距所述支撑面的距离小于所述支撑件的其他部分的顶端距所述支撑面的距离。

本公开的另一个实施例提供一种物理气相沉积装置，包括：腔体，所述腔体包括彼此相对的底壁和顶壁，以及在所述底壁和顶壁之间的侧壁；如上所述的基座，所述基座设置于所述腔体的内部，垂直于所述基座本体的支撑面的方向与从所述底壁到所述顶壁的方向大致相同，且所述基座本体的支撑面面对所述顶壁。

在一些示例中，所述物理气相沉积装置还包括屏蔽件，所述屏蔽件环绕在至少部分所述腔体的侧壁内且连接到所述腔体的侧壁，当所述盖环没有支撑在所述支撑件上时，由所述屏蔽件支撑所述盖环。

对于本公开实施例的基座以及使用该基座的物理气相沉积装置，减小了待加工件所受的外部零件的压力，待加工件只受到重力及平衡重力的来自支撑柱的支撑力。另外，由于待加工件不与盖环接触，避免了待加工件与盖环之间可能发生的粘连，降低了待加工件破碎及待加工件位置不确定或者待加工件处于不期望的位置上的风险。另外，可以有效的防止等离子体绕过待加工件溅射到基座的上表面。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。