[发明专利]一种用于网口芯片的基线漂移电压纠正电路有效

专利信息
申请号: 201710547130.0 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107483044B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 康晓飞;周翰铭;朱红;董哲;郭楹;蒋敏强 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 张辉
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 芯片 基线 漂移 电压 纠正 电路
【权利要求书】:

1.一种用于网口芯片的基线漂移电压纠正电路,其特征在于:包括共模调整模块、比较器模块、数字处理模块、电荷泵模块、压控电流源模块和基线漂移纠正模块;

共模调整模块:接收双绞线上输入的差分信号,通过共模调整将其调整到比较器的输入量程内,将调整后的差分信号输出给比较器模块;

比较器模块:通过比较差分信号正负端的高低,得到具有一定占空比的方波,输出给数字处理模块;

数字处理模块:根据比较器输出方波信号的占空比,判断双绞线上输入差分信号的基线电压漂移情况,根据基线电压漂移情况得到电荷泵控制信号,输出给电荷泵模块;

电荷泵模块:根据数字处理模块输出的电荷泵控制信号对电荷泵电容进行充电或放电,将电荷泵电容上的电压输出到压控电流源模块;

压控电流源模块:通过比较电荷泵模块的输出电压与参考电压值的大小,调整输出电流,并将调整后的输出电流发送给基线漂移纠正模块;

基线漂移纠正模块:利用压控电流源模块发送的电流进行电流镜像,根据镜像后的电流生成补偿电流,根据补偿电流对双绞线上输入差分信号的共模电压进行调节,实现对双绞线上输入差分信号基线电压漂移的纠正。

2.根据权利要求1所述的一种用于网口芯片的基线漂移电压纠正电路,其特征在于:所述数字处理模块得到电荷泵控制信号的实现方法如下:

当比较器输出方波信号的占空比大于50%时,双绞线上输入差分信号的基线电压向正端漂移,电荷泵控制信号为放电信号;

当比较器输出方波信号的占空比小于于50%时,双绞线上输入差分信号的基线电压向负端漂移,电荷泵控制信号为充电信号。

3.根据权利要求2所述的一种用于网口芯片的基线漂移电压纠正电路,其特征在于:所述电荷泵模块包括电流源IUP、电流源IDN、MOS管M1、MOS管M2以及电容C1;

MOS管M1的栅端与数字处理模块输出的充电信号连接,MOS管M1的源端与电流源IUP的输出端连接,MOS管M1的漏端同时与MOS管M2的漏端以及电容C1的一端连接,MOS管M2的栅端与数字处理模块输出的放电信号连接,MOS管M2的源端与电流源IDN的输入端连接,电流源IDN的输出端与电容C1的另一端连接,电流源IUP的输入端、MOS管M1的漏端以及电流源IDN的输出端作为电荷泵模块三个输出端,用于向压控电流源模块输出电压。

4.根据权利要求3所述的一种用于网口芯片的基线漂移电压纠正电路,其特征在于:所述压控电流源模块包括MOS管M3、MOS管M4、电流源I0、电流源I1、电流源I2、电流源I3和电阻RS

电流源I1和电流源I2的输入端同时与电荷泵模块的电流源IUP输入端连接,电流源I1的输出端与MOS管M3的漏端连接,MOS管M3的栅端与电荷泵模块的MOS管M1漏端连接,MOS管M3的源端与电流源I0的输入端连接,电流源I2的输出端与MOS管M4的漏端连接,MOS管M4的栅端与参考电压连接,MOS管M4的源端与电流源I3的输入端连接,电流源I0的输出端和电流源I3的输出端同时与电荷泵模块的电流源IDN输出端连接;电阻RS连接在MOS管M3的源端和MOS管M4的源端之间。

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