[发明专利]具有防止电弧和点火并改善工艺均匀性的特征的静电卡盘有效
申请号: | 201710544961.2 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591355B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 亚历山大·马丘什金;约翰·帕特里克·霍兰德;哈梅特·辛格;阿列克谢·马拉霍塔诺夫;基思·加夫;陈志刚;费利克斯·科扎克维奇 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 防止 电弧 火并 改善 工艺 均匀 特征 静电 卡盘 | ||
1.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件,所述衬底支撑件包括:
基板;
设置在所述基板上的接合层;和
布置在所述接合层上的陶瓷层,其中
所述陶瓷层包括第一区域和位于所述第一区域的径向外侧的第二区域,
所述第一区域具有第一厚度,
所述第二区域具有第二厚度,并且
所述第一厚度大于所述第二厚度
其中所述基板包括被布置成将传热气体供应到所述陶瓷层的下侧的传热气体供应孔;并且
其中所述传热气体供应孔布置在所述第二区域下方,但不在所述第一区域下方。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第一区域对应于所述陶瓷层的中心区域,并且所述第二区域对应于围绕所述中心区域的环状区域。
3.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第一厚度大于2毫米,而所述第二厚度小于2毫米。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述陶瓷层包括位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域。
5.根据权利要求4所述的衬底支撑件,其中所述第三区域对应于具有在所述第一区域和所述第二区域之间变化的第三厚度的过渡区域。
6.根据权利要求4所述的衬底支撑件,其中所述第三区域是以下形状中的一种:阶梯状、倒角形和弯曲形。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述陶瓷层包括陶瓷盘和布置在所述陶瓷盘上的陶瓷板。
8.根据权利要求7所述的衬底支撑件,还包括设置在所述陶瓷盘和所述陶瓷板之间的第二接合层。
9.根据权利要求7所述的衬底支撑件,其中所述陶瓷盘和所述陶瓷板的内部部分对应于所述第一区域,并且其中所述陶瓷盘和所述陶瓷板的所述内部部分限定所述第一厚度。
10.根据权利要求9所述的衬底支撑件,其中所述陶瓷板的外部部分对应于所述第二区域,并且其中所述陶瓷板的所述外部部分限定所述第二厚度。
11.根据权利要求7所述的衬底支撑件,其中所述陶瓷板包括第一材料,并且所述陶瓷盘包括第二材料。
12.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件,所述衬底支撑件包括:
基板;
设置在所述基板上的接合层;
布置在所述接合层上的陶瓷层;和
设置在所述基板和所述陶瓷层之间的电介质填料层,其中
所述陶瓷层包括内部部分和外部部分,
所述电介质填料层和所述陶瓷层的所述内部部分限定第一区域,
所述陶瓷层的所述外部部分限定位于所述第一区域的径向外侧的第二区域,
所述第一区域具有第一厚度,
所述第二区域具有第二厚度,并且
所述第一厚度大于所述第二厚度,
其中所述基板包括被布置成将传热气体供应到所述陶瓷层的下侧的传热气体供应孔;并且
其中所述传热气体供应孔布置在所述第二区域的下方,但不在所述第一区域的下方。
13.根据权利要求12所述的衬底支撑件,其中所述第一厚度大于2毫米,所述第二厚度小于2毫米。
14.根据权利要求12所述的衬底支撑件,其中所述陶瓷层和所述电介质填料层限定位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域。
15.根据权利要求14所述的衬底支撑件,其中所述第三区域对应于具有在所述第一区域和所述第二区域之间变化的第三厚度的过渡区域。
16.根据权利要求14所述的衬底支撑件,其中所述第三区域是以下形状中的一种:阶梯状、倒角形和弯曲形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造