[发明专利]一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器有效
申请号: | 201710541618.2 | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN107102453B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 张雅鑫;张亭;孙翰;梁士雄;杨梓强 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02F1/00 | 分类号: | G02F1/00;H01P1/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邹裕蓉 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 鳍线 加载 hemt 嵌套 结构 赫兹 快速 调制器 | ||
1.一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器,其特征在于,包括输入波导(1)、波导-鳍线过渡部分(2)、鳍线调制部分(3)、鳍线-波导过渡部分(4)、输出波导(5)和外部滤波馈电结构(6);
所述鳍线调制部分(3)包括鳍线中间传输区和调制单元阵列;所述鳍线中间传输区包括接地鳍(7)和绝缘鳍(8);所述调制单元阵列中的每个调制单元包括人工电磁媒质与HEMT;所述人工电磁媒质包括栅极连接线(10)和金属开口谐振环(9);所述HEMT包括源极(11)、漏极(12)和调制掺杂异质结(13);所述源极(11)和漏极(12)分别与金属开口谐振环(9)的开口处金属条相连接;所述栅极连接线(10)置于金属开口谐振环(9)开口处的中心位置并与所述绝缘鳍(8)相连接;所述金属开口谐振环(9)通过短金属条与接地鳍(7)相连接;所述外部滤波馈电结构(6)连接所述绝缘鳍(8);通过控制外部滤波馈电结构(6)的调制电压控制HEMT的通断。
2.根据权利要求1所述的鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器,其特征在于,所述调制单元阵列包括N个调制单元,N≥2。
3.根据权利要求1所述的鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器,其特征在于,鳍线的基板可为石英、碳化硅、蓝宝石或砷化镓。
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