[发明专利]一种扩散阻挡层制备方法及铜互连结构

权利要求书

1.一种铜互连结构的扩散阻挡层制备方法，其特征在于，所述方法应用于7-10纳米技术节点，该方法包括以下步骤：

在低k电介质层的沟槽内沉积钼金属层，其中所述低k电介质层形成在硅片上，所述钼金属层的厚度为3-5nm；

对沉积的钼金属层进行退火处理，形成扩散阻挡层；

将退火后的样品放置3-10天时间，并再次进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k电介质层为采用等离子化学气相沉积形成的无机硅薄膜，所述无机硅薄膜的孔隙率为30％，孔隙半径为1纳米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述低k电介质层的k值为2.2-4。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钼金属层是利用物理气相沉积PVD工艺采用直流溅射方法沉积的，沉积条件为：

沉积气氛为氩气气氛；

衬底压强为5×10^-5Pa，压力为2.2×10^-1Pa的氩气流量10sccm；

当沉积功率为120W时，金属Mo的沉积速率为3.3nm/min；

沉积时间为200s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

退火温度为250-400℃，退火时间为30秒钟-5分钟。

6.一种采用如权利要求1-5中任意一项所述的扩散阻挡层制备方法制备的铜互连结构，其特征在于，该铜互连结构包括：

硅片；

形成在硅片上的低k电介质层，所述低k电介质层具有沟槽；

利用如权利要求1-5中任意一项所述的方法在低k电介质的沟槽内制备的扩散阻挡层；以及形成在所述扩散阻挡层上的铜互连。

7.根据权利要求6所述的铜互连结构，其特征在于，该铜互连结构还包括：

形成在铜互连上的层间电介质。