[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，以简化薄膜晶体管的制作方法。所述制作方法包括：在衬底基板上形成有源层；在有源层的表面形成金属层；采用一次构图工艺和氧化处理工艺对金属层进行处理，使得金属层形成源漏极和钝化层；源漏极与所述有源层接触，钝化层形成在源漏极远离有源层的一侧。所述阵列基板的制作方法包括上述薄膜晶体管的制作方法。本发明提供的薄膜晶体管的制作方法用于显示装置中。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管阵列基板是液晶显示面板的重要组成部分，其中的薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管能够控制液晶偏转，实现液晶显示面板的图像显示，因此，薄膜晶体管阵列基板的性能对液晶显示面板的图像显示效果具有很大的影响。

现有技术中，在制作薄膜晶体管时，在有源层上先形成源漏极，然后在源漏极背离有源层的表面形成覆盖源漏极的钝化层，接着在钝化层上开设过孔，使得钝化层的表面形成像素电极时，像素电极能够通过过孔与源漏极电连接。但是，需要两次成膜工艺，并结合多次构图工艺才能形成源漏极与钝化层，这使得制作薄膜晶体管的方法比较复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置，以简化薄膜晶体管的制作方法。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种薄膜晶体管的制作方法，该薄膜晶体管的制作方法包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有源层；

在所述有源层的表面形成金属层；

采用一次构图工艺和氧化处理工艺对所述金属层进行处理，使得所述金属层形成源漏极和钝化层；所述源漏极与所述有源层接触，所述钝化层形成在所述源漏极远离所述有源层的一侧。

与现有技术相比，本发明提供的薄膜晶体管的制作方法中，由于在所述有源层的表面形成金属层，采用一次构图工艺和氧化处理工艺相结合的方式，对所述金属层进行处理，使得金属层的一部分金属材料没有被氧化，形成与有源层接触的源漏极，而金属层的另一部分金属材料被氧化成不导电的金属氧化物，形成位于源漏极远离有源层的一侧的钝化层；可见，本发明提供的薄膜晶体管的制作方法只需要一次成膜工艺，结合构图工艺和氧化处理工艺，就能够使得金属层形成源漏极和钝化层。所以，相对于现有技术，本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的比较简单，有利于简化薄膜晶体管的制作方法。

本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有源层；

在所述有源层的表面形成金属层；

采用一次构图工艺和氧化处理工艺对所述金属层进行处理，使得所述金属层形成源漏极、钝化层以及与源漏极连接的导电部；所述源漏极与所述有源层接触，所述钝化层形成在所述源漏极远离所述有源层的一侧；

在钝化层的表面形成像素电极，所述像素电极通过导电部与所述源漏极连接。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的薄膜晶体管的制作方法的有益效果相同，在此不做赘述。

在此基础上，本发明提供的阵列基板的制作方法中，还能够采用一次构图工艺和氧化处理工艺相结合的方式，在使得金属层形成源漏极和钝化层的同时，还能够形成与源漏极连接的导电部，这样直接在钝化层的表面形成像素电极时，像素电极就能够通过导电部与源漏极连接，从而跳过在钝化层上开设过孔这一工艺步骤。